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고전력 반도체

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중국 우수한 게이트 충전 N 채널 슈퍼 융합 MOSFET 4A650V LCS65R900 고전력 반도체 판매용

우수한 게이트 충전 N 채널 슈퍼 융합 MOSFET 4A650V LCS65R900 고전력 반도체

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하이 라이트:LCS65R900 Super Junction MOSFET, 4A650V Super Junction MOSFET
우수한 게이트 충전 N 채널 슈퍼 융합 MOSFET 4A650V LCS65R900 고전력 반도체   ID:4A Vdss: 650V Rdson-type ((@Vgs=10V): 840m오   특징: • 고밀도 초단절 설계 • 우수한 게이트 충전 x RDS (ON) 제품 (FOM) • 초저저항력 • 신뢰성 있고 견고함   응용 프로그램: •SMPS Q1. 우리는 누구죠? A: 우리는 광둥, 중국에 기반을 두고 있습니다, 공장 2012 년부터 시작, 패커 반도체 장치의 포장 및 테스트에 중점을 둔 국가 하이테크 기업입니다.현재 18... 더보기
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중국 높은 온도 저항성, 낮은 누출량 및 낮은 접합 용량 판매용

높은 온도 저항성, 낮은 누출량 및 낮은 접합 용량

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상표: Lingxun
하이 라이트:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET
제품 설명: 고효율은 고전력 전자 시스템의 중요한 특성이고, 우리의 제품은 그것을 제공하기 위해 설계되었습니다. 그것은 시스템이 최소한의 에너지 손실로 최적의 작동을 보장합니다.이는 에너지 비용을 줄이는 것으로 나타납니다.이 제품의 높은 효율은 더 많은 거리를 이동하기 위해 최대 에너지 사용량을 필요로 하는 전기차에 이상적인 선택이 됩니다. 우리의 고전력 반도체 제품의 낮은 누출 속성은 최소한의 전력 손실로 작동하도록 보장합니다.에너지 손실이 시스템 비효율성과 성능 문제로 이어질 수 있는 경우우리의 제품은 누출을 줄이고 시스템이... 더보기
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중국 낮은 누출 낮은 연결 용량 높은 온도 저항 전압 N 채널 전력 반도체 판매용

낮은 누출 낮은 연결 용량 높은 온도 저항 전압 N 채널 전력 반도체

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하이 라이트:Low Junction Capacitance Power Semiconductor, High Temperature Resistance Power Semiconductor, Low Leakage Power Semiconductor
제품 설명: 우리의 고전압 전력 반도체는 높은 빛, 빠른 전환 능력, 그리고 강력한 열 관리가 특징입니다.고온 저항을 요구하는 까다로운 환경에서 사용하기에 적합합니다..고효율과 뛰어난 성능으로, 우리의 고전력 반도체 제품은소비자 전자제품높은 전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있는 능력과 첨단 열 관리 기능전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 근본적인 구성 요소로 만듭니다..   특징: 제품명: 고전력 반도체 고전압 전력 반도체는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리 할 수있는 능력, 빠른 스위치 기능 및 ... 더보기
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중국 낮은 분기 용량 전압 IGBT 낮은 누출 온도 판매용

낮은 분기 용량 전압 IGBT 낮은 누출 온도

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하이 라이트:Temperature Voltage IGBT, Low Leakage Voltage IGBT, Low Junction Capacitance Voltage IGBT
제품 설명:고전력 반도체는 효율적인 에너지 전송을 위해 고전압 전력 IGBT가 필요한 전기 차량의 충전 스틸 애플리케이션에 특히 유용합니다.높은 효율성으로, 고전력 반도체는 충전 스파일 애플리케이션에 이상적입니다. 충전 중에 최소한의 에너지 손실을 보장하여 더 빠른 충전 시간 및 낮은 에너지 소비를 초래합니다. 특징:제품명: 고전력 반도체누출: 낮은 누출온도 저항성: 고온 저항성연결 용량: 낮은 연결 용량종류: N고전압 전력 반도체는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리 할 수있는 능력, 빠른 전환 능력 및 탄탄한 열 관리로 특징입니... 더보기
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중국 낮은 접점 용량 전력 N 채널 반도체 판매용

낮은 접점 용량 전력 N 채널 반도체

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하이 라이트:Low Junction Capacitance Semiconductor
제품 설명: 고전압 전력 반도체의 가장 중요한 장점 중 하나는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리 할 수있는 능력입니다. 그들은 고전압 전원 공급 장치에서 사용하기에 이상적입니다.전기 도구, 공기청정기, 그리고 고전압의 디스크리트 장치를 필요로 하는 다른 애플리케이션.이 장치들은 600V에서 1200V까지의 전압을 처리 할 수 있으며 가장 까다로운 응용 프로그램에서도 신뢰할 수있는 성능을 제공하기 위해 설계되었습니다.. 고전력 반도체 제품은 또한 고온 저항성으로 특징이며 고온 환경에서 사용하기에 이상적입니다.이 장치들은 175°... 더보기
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중국 높은 온도 저항성 낮은 누출 N형 낮은 접점 용량 MOSFET 판매용

높은 온도 저항성 낮은 누출 N형 낮은 접점 용량 MOSFET

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하이 라이트:High Temperature Resistance MOSFETs, Advanced Energy Efficient MOSFETs, Low Leakage MOSFETs
제품 설명: 고전압 전력 반도체의 주요 특징 중 하나는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리하는 능력입니다.이것은 전력 생산 및 유통 시스템의 필수 구성 요소가됩니다.에너지 효율을 향상시키고 폐기물을 줄이는 데 도움이되는 경우입니다. 또한 철도 시스템과 같은 교통 시스템에서 널리 사용됩니다.기차와 다른 차량에 안정적이고 효율적인 전력을 공급하기 위해. 고전력 반도체 제품의 또 다른 중요한 특성은 강력한 열 관리 기능입니다.이것은 과열되거나 시스템의 다른 구성 요소에 손상을 입지 않고 높은 온도에서 작동 할 수 있습니다.이것은 머리... 더보기
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중국 다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널 판매용

다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널

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하이 라이트:High Power Semiconductor N Channel, High Power N Channel, N Channel High Power Semiconductor
다중 용도 응용 고전력 반도체 N 채널   특징 • 낮은 게이트 요금 • 낮은 RDS (전동) 칩 영역 (Low FOM) 당 • 매우 낮은 전환 및 전도 손실 • 극도로 높은 전환 강도   응용 프로그램 • 태양광 인버터 • LCD/LED/PDP TV • 통신/서버 전원 공급 • AC-DC 전원 공급             더보기
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중국 11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET 판매용

11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET

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하이 라이트:TO-252 고전력 MOSFET, 스위칭 충전기 고전력 MOSFET, 650V 고전력 MOSFET
11A 650V 340mΩ TO-252 스위치 충전기용 고전력 MOSFET   N 채널 슈퍼 융합 MOSFET   부품 번호:LC65R380D   패키지:TO-252   주요 특징 내가D11A VDSS:650V RDSON형 VGS=10V:340mΩ     특징 • 우수한 서비스를 제공하기 위해 첨단 트렌치 기술을 채택 RDS ((ON), 낮은 게이트 충전 및 게이트 전압으로 작동 이 장치는 배터리 보호 또는 다른 스위칭 응용 프로그램.   응용 프로그램 • 태양광 인버터 • LCD/LED/PDP TV • 통... 더보기
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중국 TO-220F 금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 15A 600V 274mΩ 판매용

TO-220F 금속산화 반도체 필드 효과 트랜지스터 15A 600V 274mΩ

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하이 라이트:금속 산화 반도체 필드 효과 트랜지스터, TO-220F 금속산화 반도체, 필드 효과 트랜지스터 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터   N 채널 슈퍼 융합 MOSFET   부품 번호:LC60R280F   패키지:TO-220F   주요 특징 내가D15A VDSS:600V RDSON형 VGS=10V:274mΩ     특징 • 낮은 게이트 요금 • 낮은 RDS (동) 칩 영역 (Low FOM) • 매우 낮은 전환 및 전도 손실 • 극도로 높은 전환 강도   응용 프로그램 • 태양광 인버터 • LCD/LED/PDP TV • 통신/서버 전원 공급 • AC-DC 전원 공... 더보기
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중국 낮은 누출량을 가진 고전압 N형 고전력 반도체 판매용

낮은 누출량을 가진 고전압 N형 고전력 반도체

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하이 라이트:N형 고전력 반도체, 낮은 누출력 높은 전력 반도체, N형 고전압 반도체
제품 설명: 온도 저항 전압 저절단 용량 저 누출 N 전력 반도체 낮은 누출량과 낮은 결합 용량으로, 이 N형 반도체는 고전압 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.높은 전압 과 전류 를 처리 할 수 있는 그 능력 은 전력 생산 및 유통 에서 사용 하기 위해 이상적 인 것 이다전기차부터 의료기기까지 이 반도체는 전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 데 필수적입니다. 이 반도체는 고전압 기능 외에도 내구성과 신뢰성을 위해 설계되었습니다.탄탄 한 열 관리 는 높은 온도 와 혹독 한 환경 에 견딜 수 있다는 것 을 보장... 더보기
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중국 저 스위칭 고전력 반도체 15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기 판매용

저 스위칭 고전력 반도체 15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기

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하이 라이트:저 스위칭 고전력 반도체, 고전력 반도체 15A, 고전력 반도체 650V
15A 650V 238mΩ DC-DC 변환기용 저 스위칭 고전력 반도체   N 채널 슈퍼 융합 MOSFET   부품 번호:LC65R280D   패키지:TO-252   주요 특징 내가D15A VDSS:650V RDSON형 VGS=10V:238mΩ     특징 • 낮은 게이트 요금 • 낮은 RDS (동) 칩 영역 (Low FOM) • 매우 낮은 전환 및 전도 손실 • 극도로 높은 전환 강도   응용 프로그램 • 태양광 인버터 • LCD/LED/PDP TV • 통신/서버 전원 공급 • AC-DC 전원 공급   ... 더보기
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중국 19A 600V 160mΩ 산업용 전원 공급 장치용 고전력 반도체 판매용

19A 600V 160mΩ 산업용 전원 공급 장치용 고전력 반도체

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하이 라이트:600V 고전력 반도체, 19A 고전력 반도체, 160mΩ 고전력 반도체
19A 600V 160mΩ 산업용 전원 공급 장치용 감소 스위칭 고전력 반도체   N 채널 슈퍼 융합 MOSFET   부문 번호:LC60R190D   패키지:TO-220F   주요 특징 내가D19A VDSS:600V RDSON형 VGS=10V:160mΩ     특징 • 교환 및 송전 손실 감소 • 빠른 회복 체 다이오드 • 하부 문 저항 • 100% 계곡 테스트   응용 프로그램 • 소프트 스위칭 토폴로지 • 통신 및 전기 공급 • EV 충전기 및 산업용 전원 공급 장치       Q1. 우리... 더보기
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중국 20A 650V 150mΩ 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS 판매용

20A 650V 150mΩ 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS

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하이 라이트:20A 쿨 MOS, 스위치 된 전원 공급 냉각 MOS, 650V 고전압 MOS
20A 650V 150mΩ 안정성 및 균일성 스위치 모드 전원 공급 장치에 대한 냉각 MOS   N 채널 슈퍼 융합 MOSFET   부품 번호:LC65R190F   패키지:TO-220F   주요 특징 내가D20A VDSS:650V RDSON형 VGS=10V:150mΩ     특징 • 낮은 RDS (동) 및 FM • 매우 낮은 전환 손실 • 탁월 한 안정성 과 균일성   응용 프로그램 • 태양광 인버터 • LCD/LED/PDP TV • 통신/서버 전원 공급 • AC-DC 전원 공급     ... 더보기
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중국 TO-252 표면 장착 고전력 반도체 5A 500V 1.33Ω 헤어 드라이어 판매용

TO-252 표면 장착 고전력 반도체 5A 500V 1.33Ω 헤어 드라이어

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하이 라이트:표면 마운트 고전력 반도체, TO-252 고전력 반도체, 500V 고전력 반도체
5A 500V 1.33Ω TO-252 표면 장착 헤어 드라이어용 고전력 반도체   N 채널 강화 모드 전력 MOSFET   부품 번호:CS5N50A5   패키지:TO-252   주요 특징 내가D5A VDSS:500V RDSON형 VGS=10V: 1.33Ω     특징 • 빠른 전환 • 낮은 ON 저항 • 낮은 게이트 요금 • 100% 단일 펄스 성산 에너지 테스트   응용 프로그램 • 어댑터와 충전기의 전원 스위치 회로.         Q1. 우리는 누구죠? A: 우리는 광둥, ... 더보기
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중국 낮은 누출 N 채널 고전력 MOSFET TO-220F TO-263C TO-247AC 판매용

낮은 누출 N 채널 고전력 MOSFET TO-220F TO-263C TO-247AC

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하이 라이트:N 채널 고전력 MOS, 고전력 MOSFET TO-247AC, TO-263C 고전력 MOSFET
제품 설명: 저전압 누출 전력 MOSFET N형 고전력 반도체는 누출량이 낮고 고온 저항성이 뛰어난 반도체이다.높은 온도 에 저항 할 수 있는 그 능력 은 혹독 한 환경 에서 사용 하기 에 적합 하다이 장치는 고전압 애플리케이션을 처리하도록 설계되어 전력 생산 및 유통 시스템뿐만 아니라 운송 및 소비자 전자제품에 사용하기에 이상적입니다. 하이 파워 반도체 제품은 빠른 스위치 속도를 제공하기 위해 설계되었으며, 이는 고주파 애플리케이션에서 사용하기에 이상적입니다.이 장치는 높은 전력 수준을 효율적으로 처리하도록 설계되었습니다최소 손... 더보기
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중국 낮은 누출 N 채널 산업용 고전력 IGBT 판매용

낮은 누출 N 채널 산업용 고전력 IGBT

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하이 라이트:N 고전력 IGBT, 산업용 고전력 IGBT, 산업용 N 채널 IGBT
제품 설명: 산업용 용도로 낮은 누출 전압 전력 IGBT 고전압 전력 IGBT, 고전압 전력 냉각 모스 및 고전압 분리 장치는이 제품의 주요 속성 중 일부입니다. 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리하는 능력,빠른 전환 기능과 탄탄한 열 관리, 그것은 많은 산업의 응용에 대한 이상적인 선택입니다. 전력 생산 및 유통에서 운송 및 소비 전자제품까지. 고전력 반도체는 뛰어난 성능과 신뢰성을 제공하는 N형 반도체 제품입니다.그 낮은 누출 및 높은 온도 저항은 높은 전력 및 높은 효율을 필요로 하는 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택첨단 ... 더보기
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중국 N 채널 낮은 누출과 낮은 연결 용량을 가진 고전력 반도체 판매용

N 채널 낮은 누출과 낮은 연결 용량을 가진 고전력 반도체

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하이 라이트:N 채널 고전력 반도체, 낮은 누출력, 고전력 반도체, 저결합 용량 전력 반도체
제품 설명:N 채널 전압 낮은 누출 낮은 접점 용량 높은 온도 저항 전력 반도체우리의 고전력 반도체 제품은 N형입니다. 강도와 내구성으로 유명합니다.그것은 전력 손실을 줄이고 시스템의 전반적인 효율성을 향상시키는 데 도움이 될 수 있습니다..이 반도체는 방위 및 항공우주, 전기차 및 소비자 전자제품 등 수많은 산업에 적용하기에 이상적입니다.고전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있는 능력으로 전 세계적으로 기술 발전과 에너지 효율성 향상에 필수적입니다..우리의 고전력 반도체 제품은 또한 높은 전압의 기능으로 특징이며, 고전압 전력 I... 더보기
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중국 고전압 저 누출 냉각 모스 반도체 충전 스파일 판매용

고전압 저 누출 냉각 모스 반도체 충전 스파일

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하이 라이트:쿨 모스 반도체, 낮은 누출 냉각 모스, 충전 스파일 쿨 모스
제품 설명: 저전압 누출 냉각 모스 전력 응용을위한 반도체 이 특정 제품은 낮은 결합 용량으로 N형 반도체로 고전압 애플리케이션에 이상적입니다.그 높은 효율성 은 에너지 를 낭비 하지 않고 큰 양 의 전류 를 처리 할 수 있게 해 준다산업 및 상업용 용도로 비용 효율적인 솔루션입니다. 이 반도체는 고효율 뿐만 아니라 고전압으로도 가장 까다로운 용도로도 사용할 수 있습니다.급속한 스위치 기능이 파워 전자제품에 사용하기에 이상적입니다, 효율성을 유지하고 다른 구성 요소의 손상을 방지하기 위해 빠른 전환 속도가 필요합니다. 이 제품의 ... 더보기
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중국 높은 전력 낮은 누출 N 채널 IGBT 고온 저항 판매용

높은 전력 낮은 누출 N 채널 IGBT 고온 저항

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하이 라이트:낮은 누출 N 채널 IGBT, 고온 내성 N 채널 IGBT, N형 고전력 IGBT
제품 설명: 전력 고온 내성 낮은 누출 N 채널 IGBT 우리의 고전압 전력 반도체는 높은 전압과 전류를 효율적으로 처리할 수 있습니다.소비자 전자제품그들은 전 세계적으로 기술을 발전시키고 에너지 효율을 향상시키는 데 필수적입니다. 우리의 고전력 반도체는 고전압 전력 IGBT를 필요로 하는 주스 머신 같은 애플리케이션에 적합합니다.그 고효율성 은 그러한 가전 의 전력 요구 를 효과적으로 처리 할 수 있도록 보장 합니다또한, 높은 온도 저항은 극단적인 조건 하에서 안정적으로 작동 할 수 있도록 보장하여 산업용 용도로 이상적인 선택입... 더보기
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중국 충전 스파일을 위한 TO-247 N 채널 고전력 반도체 판매용

충전 스파일을 위한 TO-247 N 채널 고전력 반도체

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하이 라이트:TO-247 고전력 반도체, 충전 스파일 고전력 반도체, N 채널 전력 반도체
제품 설명:N 타입 고온 저항 저 누출 저 단절 용량 전력 반도체낮은 결합 용량으로 설계 된 이 반도체는 빠른 스위치 속도를 필요로 하는 고주파 애플리케이션에 이상적입니다.시스템의 전체 효율성을 높이는 것.고전력 반도체 제품은 높은 전류 부하를 처리 할 수 있으며 전기 자동차 및 기타 고전력 애플리케이션에 훌륭한 선택입니다.그 탁월 한 성능 은 여러 산업 및 상업용 용용 에 이상적 인 선택 을 만든다, 모터 제어, 전원 공급 장치 및 인버터 포함.이 반도체는 높은 전력 처리 능력 외에도 뛰어난 열 관리 특성을 가지고 있습니다.고온 ... 더보기
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