분리된 반도체 제품

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중국 NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz 체시 마운트 트랜지스터 13dB 가이프 판매용

NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz 체시 마운트 트랜지스터 13dB 가이프

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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L 더보기
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중국 주파수 150MHz NPN 양극 트랜지스터 80mA 최대 전류 50V 컬렉터 분해 100mW 파나소닉 SSSMini3-F1 판매용

주파수 150MHz NPN 양극 트랜지스터 80mA 최대 전류 50V 컬렉터 분해 100mW 파나소닉 SSSMini3-F1

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 더보기
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중국 디스크리트 NPN 사전 편향 트랜지스터 100mA 50V 표면 마운트 200mW 전력 파나소닉 MINI3-G3-B - 중단 판매용

디스크리트 NPN 사전 편향 트랜지스터 100mA 50V 표면 마운트 200mW 전력 파나소닉 MINI3-G3-B - 중단

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B 더보기
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중국 1000W LDMOS 파워 RF FETs for Chassis Mount 110V 1.03GHz 듀얼 트랜지스터 NXP USA Inc. 판매용

1000W LDMOS 파워 RF FETs for Chassis Mount 110V 1.03GHz 듀얼 트랜지스터 NXP USA Inc.

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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 더보기
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중국 표면 마운트 JFET 반도체 25V 15mA N 채널 디스크리트 컴포넌트 판매용

표면 마운트 JFET 반도체 25V 15mA N 채널 디스크리트 컴포넌트

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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) 더보기
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중국 NXP USA Inc. 전압 애플리케이션용 액티브 벌크 PDTA144VM 트랜지스터 판매용

NXP USA Inc. 전압 애플리케이션용 액티브 벌크 PDTA144VM 트랜지스터

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중국 150MHz NPN 사전 편향 트랜지스터 50V 고장 표면 마운트 파나소닉 SMini3-F2 150mW 전력 판매용

150MHz NPN 사전 편향 트랜지스터 50V 고장 표면 마운트 파나소닉 SMini3-F2 150mW 전력

가격: Negotiable
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 더보기
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중국 노후 체시 마운트 LDMOS RF FETs 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5dB 가이드 - NXP USA Inc. 판매용

노후 체시 마운트 LDMOS RF FETs 65V 23W 2.16-2.17GHz 13.5dB 가이드 - NXP USA Inc.

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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L 더보기
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중국 액티브 펄크 NXP USA Inc. PDTA14 디스크리트 바이폴러 트랜지스터 판매용

액티브 펄크 NXP USA Inc. PDTA14 디스크리트 바이폴러 트랜지스터

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중국 구식 NXP USA Inc. 120V 듀얼 LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB 가이드 차시 마운트 트랜지스터 판매용

구식 NXP USA Inc. 120V 듀얼 LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB 가이드 차시 마운트 트랜지스터

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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H 더보기
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중국 구식 NXP USA Inc. LDMOS 트랜지스터 2.69GHz 15.6dB 가이프 28W 출력 차시 마운트 판매용

구식 NXP USA Inc. LDMOS 트랜지스터 2.69GHz 15.6dB 가이프 28W 출력 차시 마운트

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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L 더보기
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중국 구식 패나소닉 전자 부품 UNR511 PNP 80MHz 전환 주파수 전 편향 트랜지스터 판매용

구식 패나소닉 전자 부품 UNR511 PNP 80MHz 전환 주파수 전 편향 트랜지스터

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 더보기
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중국 구식 NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N 채널 TO-92-3 100MHz RF 애플리케이션용 트랜지스터 판매용

구식 NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N 채널 TO-92-3 100MHz RF 애플리케이션용 트랜지스터

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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 더보기
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중국 구식 NXP USA Inc. PNP 사전 편향된 양극 트랜지스터 50V 파업 전압 250mW 전력 SMT3 표면 장착 판매용

구식 NXP USA Inc. PNP 사전 편향된 양극 트랜지스터 50V 파업 전압 250mW 전력 SMT3 표면 장착

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK 더보기
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중국 노후된 NXP USA Inc. PNP 사전 편향 트랜지스터 SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW 표면 마운트 디스크리트 판매용

노후된 NXP USA Inc. PNP 사전 편향 트랜지스터 SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW 표면 마운트 디스크리트

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 더보기
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중국 표면 마운트 LDMOS RF FETs 65V 24W 전력 출력 1.88GHz 주파수 듀얼 구성 NXP NI-780S-4L 판매용

표면 마운트 LDMOS RF FETs 65V 24W 전력 출력 1.88GHz 주파수 듀얼 구성 NXP NI-780S-4L

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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L 더보기
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중국 22W LDMOS RF FET 1.99GHz 체시 마운트 트랜지스터 - NXP USA Inc. 판매용

22W LDMOS RF FET 1.99GHz 체시 마운트 트랜지스터 - NXP USA Inc.

가격: Negotiable
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L 더보기
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중국 NXP USA Inc. 1.99GHz 65V LDMOS 차시 마운트 RF FETs 24W 트랜지스터 판매용

NXP USA Inc. 1.99GHz 65V LDMOS 차시 마운트 RF FETs 24W 트랜지스터

가격: Negotiable
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S 더보기
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중국 구식 70V LDMOS RF FETs 960MHz 65W 19.4dB 차시 마운트 반도체 트랜지스터 NXP USA Inc. 판매용

구식 70V LDMOS RF FETs 960MHz 65W 19.4dB 차시 마운트 반도체 트랜지스터 NXP USA Inc.

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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L 더보기
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중국 단종된 파나소닉 PNP 사전 편향 트랜지스터 150mW 전력 50V 정전 전압 판매용

단종된 파나소닉 PNP 사전 편향 트랜지스터 150mW 전력 50V 정전 전압

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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B 더보기
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