다이오드 트랜지스터
(14)
DF10S2 DF10S 단일 위상 브리지 정류기 다이오드 1KV 1.5A 4 핀 SDIP SMD
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: Diodes Incorporated
하이 라이트:DF10S 단상 브리지 정류기 다이오드, DF10S2 단상 브리지 정류기 다이오드, 브리지 정류기 다이오드 1KV 1.5A
DF10S2 DF10S 정류기 브리지 다이오드 단일 1KV 1.5A 4핀 SDIP SMD 다이오드 통합
DF10S2 정류기 브리지 다이오드 단일 1KV 2A 4핀
DF10S 정류기 브리지 다이오드 단일 1KV 1A 4핀
DF005S
DF01S2
DF02S2
DF04S
DF06S
DF08S
사양 :
부품 번호
DF10S2
범주
이산 반도체 제품
다이오드 - 브리지 정류기
온세미
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60V 10.8A 다이오드 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13 단일 MOSFET N 채널
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Diodes
하이 라이트:60V 10.8A 다이오드 트랜지스터, DMT6009LSS-13, 트랜지스터 FETS DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13 한 개의 MOSFET n채널 60V 10.8A 트랜지스터
FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 이산 반도체
DMT6009LSS-13 상술 :
부품번호
DMT6009LSS-13
범주
분리된 반도체 제품
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
엠에프르
다이오드는 결합했습니다
시리즈
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극단적 높은 속도 스위칭을 위한 1SS226 스위칭 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나
가격: Negotiated
MOQ: 100pcs
배달 시간: 2-15days
상표: ROHM Semiconductor
하이 라이트:스위칭 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나, 실리콘 에피타키샤르프레나를 바꾸는 고속도, 다이오드 트랜지스터를 바꾸는 1SS226
초고속 스위칭을 위한 1SS226 스위칭 다이오드 실리콘 에피타키샤르프레나
1. 애플리케이션
오우 초고속 스위칭
2. 특징
(1) AEC-Q101은 자격을 주었습니다
특징
고속 스위칭
내부 접속
시리즈
회로의 수
2
AEC-Q101
Qualified(*)
로에스 호환품 (#)
이용 가능합니다
1SS226TE85LF
다이오드 스위칭 85V 0.1A 3-핀 S-소형 수입 담보 화물 보관증
리드 피니쉬
TSC
맥스 처리 임시
260... 더보기
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1N5822 SS34 표면 실장 쇼트키 배리어 정류기 다이오드 3.0A 40V
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: JI/ONSEMI
하이 라이트:SS34 표면 실장 쇼트키 배리어 정류기, 1N5822 표면 실장 쇼트키 배리어 정류기, 배리어 정류기 다이오드 3.0A 40V
1N5822 SS34 쇼트키 배리어 정류기 3.0A 40V 저전압 고주파 인버터의 정류기로 사용하기에 적합
쇼트키 정류기는 대면적 금속-실리콘 전력 다이오드에서 쇼트키 배리어 원리를 사용합니다.
Schottky Rectifier 최첨단 지오메트리는 크롬 배리어 메탈, 산화물 패시베이션이 있는 에피택시 구조를 특징으로 합니다.
및 금속 겹침 접촉.
저전압, 고주파 인버터, 프리 휠링 다이오드 및 극성 보호 다이오드의 정류기로 사용하기에 이상적입니다.
특징
• 매우 낮은 vF
• 저전력 손실/고효율
• 낮은 저... 더보기
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SS36 SMB 쇼트키 접합 정류기 다이오드 트랜지스터 MOSFET 브리지 정류 회로 IC
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: vishay/ours
하이 라이트:쇼트키 접합 정류 다이오드 트랜지스터, SS36 SMB 쇼트키 접합 정류 다이오드, SS36 MOSFET 브리지 정류 회로 IC
3A SS36 SMB 표면설치 쇼트키 접합 정류기 다이오드·트랜지스터 MOSFET 브리지 정류 회로 전자 구성품
이름 :
3A SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320 SMA/DO-214AC 패키지 SMD 쇼트키 접합 정류 다이오드
모델 번호 :
SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS39 SS310 SS315 SS320
패키지 형태 :
표면 부착
패키지 :
DO-214AC/SMA
맥스. 역 전압 :
하기 참조
맥스. 순방향 ... 더보기
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TDA7297 TDA7294V 오디오 증폭기 IC AMP AB 모노 100W 15 멀티 와트
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: STMicroelectronics
하이 라이트:TDA7294V 오디오 증폭기 IC, TDA7297 오디오 증폭기 IC, TDA2050V TDA2040V
TDA7297 TDA7294V TDA2050V TDA2040V TDA2030V TDA2005R TDA2003V
AMPLIFICADOR DE AUDIO 증폭기 IC 전자 부품
100V, 100W DMOS 오디오 증폭기(음소거/st-by 포함)
제품 세부 정보
설명 :
TDA7294는 Multiwatt15 패키지의 모놀리식 집적 회로로, Hi-Fi 현장 애플리케이션(홈 스테레오, 자체 전원 스피커, Topclass TV)에서 오디오 클래스 AB 증폭기로 사용하기 위한 것입니다.넓은 전압 범위와 높은 출력 전류 기능 ... 더보기
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2N7002K 2V7002K 다이오드 트랜지스터 N 채널 신호 MOSFET 60V 380mA
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Onsemi
하이 라이트:2V7002K 다이오드 트랜지스터, 2N7002K 다이오드 트랜지스터, 60V 380mA MOSFET 트랜지스터
2N7002K 2V7002K 신호 MOSFET N 채널 소형 60V 380mA 반도체 부품 이산 및 전원 모듈
2N7002K 2V7002K N-채널 소신호 MOSFET 60V 380mA
신청:
로우 사이드 로드 스위치
레벨 시프트 회로
DC−DC 컨버터
휴대용 응용 프로그램, 즉 DSC, PDA, 휴대폰 등
이익:
시스템 효율성 향상
공간 절약
RoHS 준수
특징:
낮은 RDS(켜기)
표면 실장 패키지
이것은 무연 장치입니다
ESD 보호
RoHS 준수
최종... 더보기
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1SMB5918B 5.1V 제너 다이오드 DO-214AA SMB 이산 반도체
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Rectron/OEM
하이 라이트:1SMB5918B 5.1V 제너 다이오드, SMB 이산 반도체, 5.1V 제너 다이오드 DO-214AA
1SMB5918B 제너 다이오드 ±5% 표면 실장 DO-214AA SMB 이산 반도체
사양 :
범주
이산 반도체 제품
다이오드 - 제너 - 단일
부품 번호
1SMB5918B
패키지
테이프 및 릴(TR)
부품 상태
활동적인
전압 - 제너(공칭)(Vz)
5.1V
용인
±5%
전력 - 최대
3W
임피던스(최대)(Zzt)
4옴
전류 - 역 누설 @ Vr
5µA @ 2V
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If
1.5V @ 200mA
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STGWA19NC60HD GWA19NC60HD 급속한 IGBT 31A 600V 다이오드 트랜지스터
가격: Negotiated
MOQ: 10pieces
배달 시간: 2-15days
상표: STMicroelectronics
하이 라이트:STGWA19NC60HD, GWA19NC60HD, 급속한 IGBT 31A 600V
STGWA19NC60HD GWA19NC60HD 급속한 IGBT 31 600 Ｖ가 매우 급속한 다이오드와 IGBT를 금식시킵니다
트랜지스터 - IGBT - 한 단일 31, 600 Ｖ, 급속한 다이오드와 매우 빠른 IGBT
제품 상세정보
기술 :
이 장치는 급속한 IGBT입니다.
그것은 접속품질과 낮은 온-상태 행동 사이에 우수한 거래의 결과가 되는 진보적 전력 MESHTM 과정을 이용합니다.
특징
인가된 저전압은 (앉힌)) (VCE를 떨어뜨립니다
매우 부드러운 급속한 복구 반 병렬 다이오드
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SMC B530C 제너 다이오드 트랜지스터 30V 5A 전력 쇼트키 다이오드
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: JI
하이 라이트:B530C 제너 다이오드, 30V 5A 전력 쇼트키 다이오드, SMC B530C 제너 다이오드
B530C 제너 다이오드 SCHOTTKY 30V 5A SMC 이산 소자 반도체
사양 :
범주
이산 반도체 제품
다이오드 - 다이오드 SCHOTTKY
부품 번호
B530C
패키지
테이프 및 릴(TR)
부품 상태
활동적인
전압 - 제너(공칭)(Vz)
30V
용인
±5%
전력 - 최대
3W
임피던스(최대)(Zzt)
4옴
전류 - 역 누설 @ Vr
5A
작동 온도
-
장착 유형
표면 실장
패키지/케이스
DO-214A... 더보기
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LL34 1N4148 소신호 다이오드를 바꾸는 FDLL4148 정류 다이오드 전력
가격: Negotiated
MOQ: 100pcs
배달 시간: 2-15days
상표: FAIRCHILD/ONSEMI
하이 라이트:FDLL4148 정류 다이오드, 1N4148 소신호 다이오드, LL34 소신호 다이오드
LL34 1N4148 MINI-MELF SOD80 소신호 다이오드를 바꾸는 FDLL4148 정류 다이오드 전력
가오트에 의해 도입된 ll-34 유리 동봉 스위칭 다이오드는 고안정성과 신뢰성, 역 누설 전류를 가지고 있습니다,
4.0 나노 초와 500mW의 최대 파워 분해와 우수한 전기성능보다 적은 교환 속도.
이름 :
FDLL914,FDLL4x48,1N91x,1N4x48,1N914,1N914-T50A,1N914TR,1N914ATR,1N914B,
1N914BTR,1N916,1N916A,1N916B,1N... 더보기
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DTC123YUA ROHM 반 도체형 트랜지스터 디지털 BJT NPN 50V 100mA 200mW
가격: Negotiated
MOQ: 100pcs
배달 시간: 2-15days
상표: ROHM Semiconductor
하이 라이트:DTC123YUA, ROHM 반 도체형 트랜지스터, 디지털 BJT NPN 50V 100mA 200mW
DTC123YUA ROHM 반 도체형 트랜지스터 디지털 BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-핀 DTC123YUAT106
DTC123YUA 시리즈 50 Ｖ 100 마 표면 부착 NPN 디지털 트랜지스터 - SC-70
관련 상품 다수 :
엠에프르 부분 #
기술
패키지
DTC123EM3T5G
트랜스 프리바이어스 NPN 50V SOT723
SOT-723
DTC123JET1G
트랜스 프리바이어스 NPN 50V 100MA SC75
SC-75, SOT-416
DTC123JM3T... 더보기
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GP BJT NPN 60V 50mA 다이오드 트랜지스터 CMPT2484 Central Semiconductor
가격: Negotiated
MOQ: 10
배달 시간: 2-15days
상표: Central Semiconductor
하이 라이트:CMPT2484 중앙 반도체, 60V 50mA 다이오드 트랜지스터, GP BJT NPN 다이오드 트랜지스터
CMPT2484 중앙 반도체 다이오드 트랜지스터 GP BJT NPN 60V 50mA 3핀 SOT-23 이산 반도체
사양 :
범주
이산 반도체 제품
다이오드 - 다이오드 SCHOTTKY
부품 번호
CMPT2484TR
패키지
테이프 및 릴(TR)
부품 상태
활동적인
전압 - 제너(공칭)(Vz)
60V
설명
트랜스 GP BJT NPN 60V 50mA 3핀 SOT-23
전류 - 역 누설 @ Vr
50MA
작동 온도
-
장착 유형
표면 실장
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SSM3K36MFV MOSFET 토시바 반도체 전자 부품
가격: Negotiated
MOQ: 100pcs
배달 시간: 2-15days
상표: Toshiba Semiconductor
하이 라이트:토시바 반도체 전자 부품, SSM3K36MFV 전자 부품 다이오드, SSM3K36MFV 다이오드 트랜지스터
SSM3K36MFV MOSFET 토시바 반도체 전자 부품
특징
범주
분리된 반도체 제품
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
엠에프르
토시바 반도체와 저장
시리즈
U-MOSIII
패키지
테이프 & 릴 (TR)
제품 상태
활동가
FET은... 더보기
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