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MOSFET 전력 트랜지스터

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중국 Multi Functional Mosfet Power Transistor Halogen - Free Devices Available 판매용

Multi Functional Mosfet Power Transistor Halogen - Free Devices Available

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Mosfet Power Transistor Description The Power MOSFET is a type of MOSFET. The operating principle of power MOSFET is similar to the general MOSFET. The power MOSFETS are very special to handle the high level of powers. It shows the high switching speed and by comparing with the normal MOSFET, the po... 더보기
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중국 트랜지스터를 사용하는 기존 고전압 MOSFET 전력 트랜지스터 MOSFET 드라이버 판매용

트랜지스터를 사용하는 기존 고전압 MOSFET 전력 트랜지스터 MOSFET 드라이버

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:기존 MOSFET 전력 트랜지스터, 고전압 MOSFET 전력 트랜지스터, 트랜지스터를 사용하는 SGS MOSFET 드라이버
Original High Voltage Mosfet Transistor , Mosfet Driver Using Transistor High Voltage Mosfet Transistor Working and Characteristics The construction of the power MOSFET is in V-configurations, as we can see in the following figure. Thus the device is also called as the V-MOSFET or V-FET. The V- the ... 더보기
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중국 8H02ETS 듀얼 N 채널 MOSFET 전력 트랜지스터 20V 낮은 게이트 충전 판매용

8H02ETS 듀얼 N 채널 MOSFET 전력 트랜지스터 20V 낮은 게이트 충전

가격: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:듀얼 N 채널 MOSFET 전력 트랜지스터, Mosfet 전력 트랜지스터 20V, Mosfet 전력 트랜지스터 낮은 게이트 충전
20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION The 8H02ETSuses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 7A 8H02TS RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=3.1V RDS(ON) &l... 더보기
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중국 Low Gate Charge Mosfet Power Transistor For Inverter Systems Management 판매용

Low Gate Charge Mosfet Power Transistor For Inverter Systems Management

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
What is a Mosfet Power Transistor ? A power MOSFET is a special type of metal oxide semiconductor field effect transistor. It is specially designed to handle high-level powers. The power MOSFET’s are constructed in a V configuration. Therefore, it is also called as V-MOSFET, VFET. The symbols of N- ... 더보기
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중국 N Channel Mos Field Effect Transistor , High Power Transistor -30V/-80A 판매용

N Channel Mos Field Effect Transistor , High Power Transistor -30V/-80A

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
N Channel Mos Field Effect Transistor ,High Power Transistor -30V/-80A N Channel Mos Field Effect Transistor Description -30V/-80A R DS(ON) = 3.8 mΩ (typ.) @V GS = -10V R DS(ON) = 6.2 mΩ (typ.) @V GS = -4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available N Channel Mos Fiel... 더보기
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중국 Fast Switching Time Mos Field Effect Transistor , Power Switch Transistor 판매용

Fast Switching Time Mos Field Effect Transistor , Power Switch Transistor

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor are used in many power supply and general power applications, especially as switches. Variant s include planar MOSFETs, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs and other different brand names. Mos Field Effect Transistor Feature N- Channel P ... 더보기
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중국 High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density 판매용

High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
Highest Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density Mosfet Power Transistor Feature Description It is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteri... 더보기
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중국 High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density 판매용

High Performance Mosfet Power Transistor With Extreme High Cell Density

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD240 uses Trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Power losses are minimized due to an extremely low combination of R DS(ON) and C rss .In addition, switching behavior is well controlled with a ... 더보기
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중국 OEM High Frequency Switching Transistor , Power Switch Transistor -30V -70A 판매용

OEM High Frequency Switching Transistor , Power Switch Transistor -30V -70A

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD403/AOI403 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK/IPAK package, this device is well suited for high current load applications. Parameters Part Number Status ... 더보기
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중국 High Voltage Switching Mosfet Power Transistor With High Thermal Resistance 판매용

High Voltage Switching Mosfet Power Transistor With High Thermal Resistance

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description The AOD407 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) , low gate charge and low gate resistance. With the excellent thermal resistance of the DPAK package, this device is well suited for high current load applications. -RoHS Compliant -Halogen Free* Parameters ... 더보기
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중국 Durable High Speed Power Switching Transistor , Power Darlington Transistor 판매용

Durable High Speed Power Switching Transistor , Power Darlington Transistor

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description • Trench Power MV MOSFET technology • Low R DS(ON) • Low Gate Charge • Optimized for fast-switching applications Application Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Industrial and Motor Drive applications Parameters Part Number Status Package Polarity VDS (V) VGS (... 더보기
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중국 High Switching Speed Mosfet Power Transistor For Linear Power Supplies 판매용

High Switching Speed Mosfet Power Transistor For Linear Power Supplies

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
High Switching Speed Mosfet Power Transistor For Linear Power Supplies General Description • Trench Power MOSFET technology • Low R DS(ON) • Logic Level Driving • RoHS and Halogen-Free Compliant Application • Industrial and Motor Drive applications Parameters Part Number Status Package Polarity VDS... 더보기
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중국 6.0A 20V SOP-8 Mosfet Power Transistor For Battery Protection 판매용

6.0A 20V SOP-8 Mosfet Power Transistor For Battery Protection

가격: Negotiated
MOQ: Negotiation
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: Hua Xuan Yang
하이 라이트:n channel mosfet transistor, high voltage transistor
General Description: The AP9926A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V ID = 6A RDS(ON) < 2... 더보기
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중국 MCU 32-Bit M3  LQFP-64 STM32F103RCT6 Applied to the printer control panel 판매용

MCU 32-Bit M3 LQFP-64 STM32F103RCT6 Applied to the printer control panel

가격: Negotiable
MOQ: 960
배달 시간: 5-15days
상표: OTOMO
MCU 32-Bit M3 LQFP-64 STM32F103RCT6 Applied to the printer control panel32-Bit FLASH ARM® Cortex®-M3 72MHz 2V ~ 3.6V LQFP-64_10x10x05P ST Microelectronics RoHS 더보기
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중국 고전류 MOSFET 전력 트랜지스터 이중 N 유형 고성능 판매용

고전류 MOSFET 전력 트랜지스터 이중 N 유형 고성능

가격: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:고전류 Mosfet 전력 트랜지스터, Mosfet 전력 트랜지스터 이중 N 유형, Mosfet 전력 트랜지스터 고성능
HXY4812 0V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted Electric... 더보기
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중국 6.5A 30V MOSFET 전력 트랜지스터 이중 N-채널 연속 드레인 전류 판매용

6.5A 30V MOSFET 전력 트랜지스터 이중 N-채널 연속 드레인 전류

가격: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:30V Mosfet 전력 트랜지스터, 6.5A 고전압 트랜지스터, 릴 Mosfet 전력 트랜지스터
HXY4812 30V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY4822A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted Electr... 더보기
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중국 HXY9926A 논리 Mosfet 스위치, Mosfet 전원 스위치 ±1.2v VGS 이중 N 채널 판매용

HXY9926A 논리 Mosfet 스위치, Mosfet 전원 스위치 ±1.2v VGS 이중 N 채널

가격: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:HXY9926A 로직 MOSFET 스위치, 20v MOSFET 전원 스위치, SGS MOSFET 전원 스위치
HXY9926A 20V Dual N-Channel MOSFET General Description The HXY9926A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-direction... 더보기
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중국 RoHS 듀얼 N 채널 MOSFET 전력 트랜지스터 SOT-23-6L MOSFETS 6.0 A VDSS 판매용

RoHS 듀얼 N 채널 MOSFET 전력 트랜지스터 SOT-23-6L MOSFETS 6.0 A VDSS

가격: Negotiated
MOQ: 1000-2000 PCS
배달 시간: 1 - 2 Weeks
상표: OTOMO
하이 라이트:RoHS MOSFET 전력 트랜지스터, 6.0A 고전류 MOSFET 스위치, 8205A MOSFET 전력 트랜지스터
8205A SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS Dual N-Channel MOSFET General Description VDSS= V ID= 6.0 A z 20 G1 6 D1,D2 5 G2 4 z RDS(on) < Ω@V = 4.5V 25m GS z RDS(on) < Ω@V = 2.5V 32m GS 1 2 3 S1 D1,D2 S2 FEATURE z TrenchFET Power MOSFET z Excellent RDS(on) z Low Gate Charge z High Power and C... 더보기
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