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인듐 인화물 웨이퍼

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중국 까만 인듐 인화물 웨이퍼, LD 신청을 위한 반도체 웨이퍼 판매용

까만 인듐 인화물 웨이퍼, LD 신청을 위한 반도체 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 5pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:mgo substrate, gap wafer
2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP introduce InP single crystal The tCZ growth (modified Czochralski method) is used to pull a single crystal through a boric oxide liquid encapsulant starting from a seed. The dopant (Fe, S, Sn ... 더보기
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중국 2 - 6 인치 갈륨 인화물 수정같은 기질 간격 웨이퍼 0.1 - 2mm 간격 판매용

2 - 6 인치 갈륨 인화물 수정같은 기질 간격 웨이퍼 0.1 - 2mm 간격

가격: by case
MOQ: 5pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:mgo substrate, gap wafer
2-6 inch Gallium phosphide (GaP) crystals crystal substrate,GaP wafer ZMKJ can provides high quality single crystal GaP wafer ( Gallium phosphide ) to electronic and optoelectronic industry in diameter up to 2 inch . Gallium phosphide ( GaP ) crystal is an orange-yellow semi-translucent material for... 더보기
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중국 Ge 광학적인 판 인듐 인화물 웨이퍼 우수한 반도체 물자 판매용

Ge 광학적인 판 인듐 인화물 웨이퍼 우수한 반도체 물자

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:mgo substrate, gap wafer
Germanium Single Crystals Wafers,Ge optical plates Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ) Crystal Structure Cube Lattice Co... 더보기
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중국 Ge 렌즈 반도체 기판 INP 인듐 갈륨 인화 웨이퍼 판매용

Ge 렌즈 반도체 기판 INP 인듐 갈륨 인화 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:Ge lens Indium Phosphide Wafer, semiconductor substrates Indium Phosphide Wafer, inp Ge single crystal
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... 더보기
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중국 LD 레이저 다이오드를 위한 4 인치 반 절연 인화 인듐 InP 웨이퍼 판매용

LD 레이저 다이오드를 위한 4 인치 반 절연 인화 인듐 InP 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 3-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:inp wafer, mgo substrate
4inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer for LD Laser Diode,semiconductor wafer,3inch InP wafer,single crystal wafer​2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP introduce InP single crystal growth (modified Czochralski method) i... 더보기
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중국 3.58 조밀도 Mgo 기질/Mgo 웨이퍼 산화마그네슘 결정 기질 판매용

3.58 조밀도 Mgo 기질/Mgo 웨이퍼 산화마그네슘 결정 기질

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:inp wafer, gap wafer
MgO substrates,10X10mm MgO wafer,semiconductor wafer,Magnesium oxide (MgO) crystal substrate, crystals supplier MgO WAFER 5x5mm Product Description:Magnesium oxide (MgO) is excellent for monocrystalline substrate is widely used in production of the ferroelectric thin film, he magnetic film, optical ... 더보기
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중국 게르마늄 단일 결정 Inp는 반도체 기판을 웨이퍼로 만듭니다 판매용

게르마늄 단일 결정 Inp는 반도체 기판을 웨이퍼로 만듭니다

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:inp wafers semiconductor substrates, Semiconductor Germanium inp wafers, germanium single crystals substrates
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... 더보기
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중국 세미 절연 2 인치 50 밀리미터 앤형 가상 InP 인화 인듐 웨이퍼 판매용

세미 절연 2 인치 50 밀리미터 앤형 가상 InP 인화 인듐 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 3-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:50mm indium Phosphide Wafer, Semi Insulating indium Phosphide Wafer, n type inp wafer
2inch dia50.8mm n-type dummy prime grade InP indium Phosphide Wafer 4inch Semi-Insulating Indium Phosphide InP Wafer for LD Laser Diode,semiconductor wafer,3inch InP wafer,single crystal wafer​2inch 3inch 4inch InP substrates for LD application, semiconductor wafer,InP wafer,single crystal wafer InP... 더보기
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중국 고굴절 DSP 표면 GE 게르마늄 웨이퍼 판매용

고굴절 DSP 표면 GE 게르마늄 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:DSP Surface Germanium Wafer, high refractive Germanium Wafer, DSP Surface ge wafer
2inch 4inch 6inch N Type P type doped Germanium Single Crystals Wafers, Germanium Single Crystals optical plates Ge wafer / Ge window Germanium (Ge) is the preferred lens and window material for high performance infrared imaging systems in the 8–12 um wavelength band. Its high refractive index makes... 더보기
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중국 Ge 광학 Inp 웨이퍼, 반도체 장치 인듐 인화물 웨이퍼 판매용

Ge 광학 Inp 웨이퍼, 반도체 장치 인듐 인화물 웨이퍼

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:Ge Optical inp wafer, Ge Optical Indium Phosphide Wafer, semiconductor device inp wafer
Germanium Single Crystals Wafers,Ge optical plates Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ) Crystal Structure Cube Lattice Co... 더보기
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중국 아크 프랑스 성장 입방체 수정같은 Mgo 기질, 마그네슘 산화물 결정 판매용

아크 프랑스 성장 입방체 수정같은 Mgo 기질, 마그네슘 산화물 결정

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:Arc France mgo substrates, Cube crystal mgo substrates, mgo magnesium oxide crystal
MgO substrates,10X10mm MgO wafer,semiconductor wafer,Magnesium oxide (MgO) crystal substrate, crystals supplier MgO WAFER 5x5mm Product Description: Magnesium oxide (MgO) is excellent for monocrystalline substrate is widely used in production of the ferroelectric thin film, he magnetic film, optical... 더보기
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중국 게르마늄 단결정 인듐 인화물 웨이퍼는 Ge 광학 렌즈 4/6 인치를 주문을 받아서 만들었습니다 판매용

게르마늄 단결정 인듐 인화물 웨이퍼는 Ge 광학 렌즈 4/6 인치를 주문을 받아서 만들었습니다

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MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:inp wafer, gap wafer
4inch 6inch Germanium Single Crystals Ge substrates Wafers,customized Ge optical lens Germanium substrates Application: germanium wafer used in production of semiconductor device, infrared ray optical device, sinking material of solar cell. Main Property Terms Production Method Czochralski method(CZ... 더보기
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중국 N / P는 게르마늄 웨이퍼, 게르마늄 광학 판 직경 0.5 ~ 150mm를 타자를 칩니다 판매용

N / P는 게르마늄 웨이퍼, 게르마늄 광학 판 직경 0.5 ~ 150mm를 타자를 칩니다

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MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:inp wafer, mgo substrate
2inch 4inch 6inch N Type P type doped Germanium Single Crystals Wafers, Germanium Single Crystals optical plates Ge wafer / Ge window Germanium (Ge) is the preferred lens and window material for high performance infrared imaging systems in the 8–12 um wavelength band. Its high refractive index makes... 더보기
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중국 LD를 위한 1 차/거짓 급료 인듐 인화물 웨이퍼 간격 350um 판매용

LD를 위한 1 차/거짓 급료 인듐 인화물 웨이퍼 간격 350um

가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:mgo substrate, gap wafer
2inch N-type P-type thickness 350um primary grade Dummy grade Indium Phosphide crystal InP substrates wafer for LD Indium phosphide single crystal material is one of most important semiconductor compound, which is key raw material for laser diode of indium phosphide substrate(LD), light emitting dio... 더보기
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중국 게르메늄 기판 GE 평면 창 광 렌즈 열 영상 응용 및 적외선 분광 고 강도 판매용

게르메늄 기판 GE 평면 창 광 렌즈 열 영상 응용 및 적외선 분광 고 강도

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4 weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:Thermal Imaging Applications Germanium substrate, Infrared Spectroscopy Germanium substrate, High hardness Germanium substrate
Product Description Germanium substrate GE Flat Windows Optical Lenses Thermal Imaging Applications and Infrared Spectroscopy High hardness Germanium window (Ge) is a chemically inert material with a permissive spectrum range of 2-12μm, which is a commonly used infrared optical material, with high h... 더보기
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중국 INAs 인디움 아르세네이드2인치 3인치 4인치 단일 크리스탈 기판 N / P 타입 반도체 웨이퍼 두께 300-800um 판매용

INAs 인디움 아르세네이드2인치 3인치 4인치 단일 크리스탈 기판 N / P 타입 반도체 웨이퍼 두께 300-800um

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4 weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:4 inch Indium Arsenide Wafer, 3 inch Indium Arsenide Wafer, 2 inch Indium Arsenide Wafer
Product Description InAs Indium Arsenide2inch 3inch 4inch Single Crystal Substrate N/P Type Semiconductor Wafer Thickness 300-800um Indium InAs or indium arsenide monolithic is a semiconductor composed of indium and arsenic. It has a gray cubic crystal appearance and a melting point of 942°C. Indium... 더보기
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중국 지 게르메늄 웨이퍼 반도체 기판 <111> 집중형 광전자 CPV 사용자 지정 크기 모양 판매용

지 게르메늄 웨이퍼 반도체 기판 <111> 집중형 광전자 CPV 사용자 지정 크기 모양

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4 weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:CPV germanium wafer, custom size germanium wafer, semiconductor germanium wafer
Product Description Ge germanium wafer semiconductor substrates concentrating photovoltaic CPV custom size shapes Germanium has good semiconductor properties. High-purity germanium is doped with trivalent elements (e.g., indium, gallium, boron) to obtain P-type germanium semiconductors, and pentaval... 더보기
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중국 마그네슘 산화물 순도 95% MgO 필름 기판 5x5 10x10 20x20 두께 0.5mm 1.0mm 지향 <001> <110> <111> 판매용

마그네슘 산화물 순도 95% MgO 필름 기판 5x5 10x10 20x20 두께 0.5mm 1.0mm 지향 <001> <110> <111>

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MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmkj
하이 라이트:5x5 MgO film substrate, 20x20 MgO film substrate, 10x10 MgO film substrate
Magnesium oxide purity 95% MgO film substrate 5x5 10x10 20x20 thickness 0.5mm 1.0mm orientation Product Description: Thin film substrate magnesium oxide (MgO) single crystal is a high-quality substrate material with excellent physical and chemical properties, such as high melting point, low dielectr... 더보기
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중국 InAs 웨이퍼 도핑 Zn 2 인치 인디엄 아르세나이드 웨이퍼 다이아 50mm 두께 500um <100> 사용자 정의 판매용

InAs 웨이퍼 도핑 Zn 2 인치 인디엄 아르세나이드 웨이퍼 다이아 50mm 두께 500um <100> 사용자 정의

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4 weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:Customized Indium Arsenide Wafer, 2 Inch Indium Arsenide Wafer, 500um Indium Arsenide Wafer
2inch Indium Arsenide Wafer InAs Epitaxial Wafer for LD Laser Diode, semiconductor epitaxial wafer, 3inch InAs-Zn wafer, InAs single crystal wafer ​2inch 3inch 4inch InAs-Zn substrates for LD application, semiconductor wafer, Indium Arsenide Laser Epitaxial Wafer Features of InAs-Zn Wafer - use InAs... 더보기
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중국 DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼 액티브 레이어 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 인치 가스 센서 판매용

DFB 웨이퍼 N-InP 기판 에피웨이퍼 액티브 레이어 InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 인치 가스 센서

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:2 inch InP substrate epiwafer, 4 inch InP substrate epiwafer, 6 inch InP substrate epiwafer
DFB wafer N-InP substrate epiwafer active layer InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 inch for gas sensor DFB wafer N-InP substrate epiwafer's brief A Distributed Feedback (DFB) wafer on an n-type Indium Phosphide (N-InP) substrate is a critical material used in the production of high-performance DFB laser diodes.... 더보기
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