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갈륨 비소 웨이퍼

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중국 N - 비화 갈륨 웨이퍼 GaAs에게 단결정 기질을 2 - 6 인치 타자를 치십시오 판매용

N - 비화 갈륨 웨이퍼 GaAs에게 단결정 기질을 2 - 6 인치 타자를 치십시오

가격: by case
MOQ: 5pcs
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상표: zmsh
하이 라이트:인듐 비화물 웨이퍼, laalo3 기질
3inch GaAs 기질, 비화 갈륨 수정같은 웨이퍼 지도하는을 위한 GaAs 웨이퍼, Si/Zn 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 GaAs 웨이퍼 (성분 갈륨과 비소의 A 화합물. 아연 섬아연광 결정 구조를 가진 III-V 직접적인 bandgap 반도체입니다) -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼 우리는 합성 반도체 기질을 ... 더보기
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중국 6 인치당 VGF 방법 n 형 GaAs 기 판 675 um SSP 웨이퍼에서 떨어져 있는 2 급 판매용

6 인치당 VGF 방법 n 형 GaAs 기 판 675 um SSP 웨이퍼에서 떨어져 있는 2 급

가격: by case
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하이 라이트:VGF 방법 갈륨 비소 기판, n 형 GaAs 기 판, 2 급 비소화 갈륨 epi 웨이퍼
VGF 방법 n형이 GaAs 기판을 도프하지 않은 2 인치당 3 인치당 4 인치당 6 인치당 2 급은 675 um SSP DSP 갈륨 비소 웨이퍼를 중단합니다------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 갈륨 비소 웨이퍼 (갈륨 비소)은 반도체 산업에서 진화한 실리콘에 대한 비교 우위입니다. 이 갈륨 비소 웨이퍼에 의해 제공된 적은 전력 소비와 더 많은... 더보기
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중국 4 인치 비화 갈륨 웨이퍼, 저온 합금을 위한 Gaas 기질 판매용

4 인치 비화 갈륨 웨이퍼, 저온 합금을 위한 Gaas 기질

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하이 라이트:인듐 비화물 웨이퍼, laalo3 기질
4inch GaAs 기질, 비화 갈륨 수정같은 웨이퍼 지도하는을 위한 GaAs 웨이퍼, Si/Zn 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 GaAs 웨이퍼 (성분 갈륨과 비소의 A 화합물. 아연 섬아연광 결정 구조를 가진 III-V 직접적인 bandgap 반도체입니다) -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs 결정에 관하여 제품 이름: 비화 갈륨 (GaAs... 더보기
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중국 마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 Ｓ 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼 판매용

마이크로 전자공학을 위한 3 인치 76.2 밀리미터 n형 Ｓ 도핑된 비화 갈륨 웨이퍼

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하이 라이트:마이크로 일렉트로닉스 갈륨 비소 웨이퍼, 76.2mm 갈륨 비소 웨이퍼, 마이크로 일렉트로닉스 가스 웨이퍼
마이크로 전자공학을 위한 VFG 메토드 n형 3 inch,4inch, 6inch dia150mm GAA 비화 갈륨 웨이퍼 반 절연 타입, -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼 갈륨 비소 (GaAs)는 요소 갈륨과 비소의 합성물입니다. 그것은 섬아연광 결정 구조와 III-V 직접적인 밴드 갭 반도체입니다. 갈륨 비소는 마이크로파... 더보기
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중국 3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판 판매용

3 인치 VGF 갈륨 비소 웨이퍼 연구 테스트 성적 n 형 GaAs 기 판

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하이 라이트:연구 테스트 성적 비화 갈륨 웨이퍼, 앤형 갈륨 비소 기판, 3 인치 비소화 갈륨 epi 웨이퍼
3 인치 VGF 비소화 갈륨은 연구 테스트 성적 n형의 GaAs 기판 425 um을 웨이퍼로 만듭니다 VGF 방법 n형이 GaAs 기판을 도프하지 않은 2 인치당 3 인치당 4 인치당 6 인치당 2 급은 675 um SSP DSP 갈륨 비소 웨이퍼를 중단합니다 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 갈륨 비소 웨이퍼 (갈륨 비소)은 반도체 ... 더보기
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중국 두 배 측은 Semicondutor 웨이퍼 1sp 2sp 10X10mm GGG 수정같은 기질 칩을 닦았습니다 판매용

두 배 측은 Semicondutor 웨이퍼 1sp 2sp 10X10mm GGG 수정같은 기질 칩을 닦았습니다

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하이 라이트:gaas 웨이퍼, 인듐 비화물 웨이퍼
GGG 기질, 10X10mm 작은 정연한 산화아연 웨이퍼, 다른 오리엔테이션에 있는 5x5mm GGG 기질, 가돌리늄 갈륨 석류석 GGG Gd3Ga5012 결정 기질 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 가돌리늄 갈륨 석류석 (GGG, Gd3개의껌5O12)는 자석발전기 광학과 마이크로파 기질입니다. 아주 중요한적외선 광학적인 절연체를 위한 제일 기질 물자 (1.... 더보기
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중국 10X10mm Srtio3 기질 광학 유리 창을 위한 작은 정연한 스트론튬 티탄 판매용

10X10mm Srtio3 기질 광학 유리 창을 위한 작은 정연한 스트론튬 티탄

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하이 라이트:gaas 웨이퍼, 인듐 비화물 웨이퍼
SrTiO3 기질, 10X10mm 작은 정연한 스트론튬 티탄SrTiO3 기질, 10x10 SrTiO3 웨이퍼-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 일반적인 재산 스트론튬 티탄 (SrTiO3)는 널리 이용되는 고열 superconducting의 하나입니다단결정 기질. 그것은 YBaCuO7의 결정 격자에 어울립니다 다른 사람입니다고열 superconducting 물자, 쌍둥... 더보기
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중국 마이크로 전자공학을 위한 VGF 방법 Gaas 웨이퍼 Dia 150mm 반 - 격리 유형 판매용

마이크로 전자공학을 위한 VGF 방법 Gaas 웨이퍼 Dia 150mm 반 - 격리 유형

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하이 라이트:인듐 비화물 웨이퍼, laalo3 기질
VFG metod N 유형 3inch, 4inch의 마이크로 전자공학을 위한 유형을 반 격리하는 6inch dia150mm GaAs 비화 갈륨 웨이퍼, -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs) 비화 갈륨 웨이퍼 비화 갈륨 (GaAs)는 성분 갈륨과 비소의 화합물입니다. 아연 섬아연광 결정 구조를 가진 III-V 직접적인 bandgap 반도체입... 더보기
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중국 Zno 기질, 비화 갈륨 웨이퍼 산화아연 결정 기질 판매용

Zno 기질, 비화 갈륨 웨이퍼 산화아연 결정 기질

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하이 라이트:gaas 웨이퍼, laalo3 기질
ZnO 기질, 10X10mm 작은 정연한 산화아연 웨이퍼, 다른 오리엔테이션에 있는 5x5mm ZnO 기질, ZnO 단결정 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 산화아연 (ZnO)는 아주 재미있는 재산을 가진 단결정 반도체로 성장될 수 있습니다. bandgap는 파란과 보라빛 신청의 많은 것을 위해 매력에게 만드는 3.4 eV 범위에 있습니다 광전자공학 뿐 ... 더보기
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중국 GGG 기질, 가돌리늄 갈륨 석류석 GGG Gd3Ga5012 결정 기질 판매용

GGG 기질, 가돌리늄 갈륨 석류석 GGG Gd3Ga5012 결정 기질

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상표: zmsh
하이 라이트:gaas 웨이퍼, laalo3 기질
GGG 기질, 10X10mm 작은 정연한 산화아연 웨이퍼, 다른 오리엔테이션에 있는 5x5mm GGG 기질, 가돌리늄 갈륨 석류석 GGG Gd3Ga5012 결정 기질 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 가돌리늄 갈륨 석류석 (GGG, Gd3개의껌5O12)는 자석발전기 광학과 마이크로파 기질입니다. 아주 중요한적외선 광학적인 절연체를 위한 제일 기질 물자 (1.... 더보기
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중국 Laalo3 기질, 비화 갈륨 웨이퍼 란탄 알루민산염 결정 기질 판매용

Laalo3 기질, 비화 갈륨 웨이퍼 란탄 알루민산염 결정 기질

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하이 라이트:gaas 웨이퍼, 인듐 비화물 웨이퍼
LaAlO3 기질, 10X10mm 작은 정연한 란탄 알루민산염 LaAlO3crystal 기질 단결정 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 신청: LaAlO3 단결정은 고열 superconducting 박막의 가장 중요한 단결정 물자입니다. 방법을 당기기의 성장에는 인치 직경 2개 및 더 큰 단결정 및 기질 얻을 수 있는 CZ 방법, 그것 있습니다 YBaCu... 더보기
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중국 500um 간격 인듐 비화물 웨이퍼 InAs 수정같은 웨이퍼 2개 인치 직경 50.8mm 판매용

500um 간격 인듐 비화물 웨이퍼 InAs 수정같은 웨이퍼 2개 인치 직경 50.8mm

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하이 라이트:gaas 웨이퍼, 인듐 비화물 웨이퍼
2inch 직경 50.8mm 500um 간격 InAs 기질, 인듐 비화물 InAs 수정같은 웨이퍼, N 유형 3inch 0.6mm InAs 웨이퍼, 10x10mm 정연한 InAs 웨이퍼 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ InAs 단결정 기질은 성장한 InAsSb/In일 수 있습니다 - 2개를 만들기와 같은 AsPSb InNAsSb ... 더보기
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중국 Dia 50.8mm 반도체 기질을 위한 2 인치 비화 갈륨 웨이퍼 판매용

Dia 50.8mm 반도체 기질을 위한 2 인치 비화 갈륨 웨이퍼

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MOQ: 5pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmsh
하이 라이트:gaas 웨이퍼, 인듐 비화물 웨이퍼
2inch GaAs 기질, 비화 갈륨 수정같은 웨이퍼 지도하는을 위한 GaAs 웨이퍼, Si/Zn 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 GaAs 웨이퍼 (성분 갈륨과 비소의 A 화합물. 아연 섬아연광 결정 구조를 가진 III-V 직접적인 bandgap 반도체입니다) -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 신청: 1. 전자공학에서 주로, 저온 합금 사용해, ... 더보기
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중국 GaAs 레이저 에피타시얼 웨이퍼 갈륨 아르세나이드 웨이퍼 VCSEL/PD 엑스피타시얼 웨이퍼 지능형 감지 판매용

GaAs 레이저 에피타시얼 웨이퍼 갈륨 아르세나이드 웨이퍼 VCSEL/PD 엑스피타시얼 웨이퍼 지능형 감지

가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: Negotiable
상표: ZMSH
하이 라이트:GaAs 레이저 에피타시얼 웨이퍼, 지능형 센싱 에피타시얼 웨이퍼, VCSEL/PD 엑스피타시얼 웨이퍼
2인치 갈륨 아르세나이드 웨이퍼 LD 레이저 다이오드, 반도체 에피타시얼 웨이퍼, 3인치 GaAs 웨이퍼, GaAs 싱글 크리스탈 웨이퍼반도체 웨이퍼, 갈륨 아르세나이드 레이저 에피타시얼 웨이퍼 GaAs 레이저 에피타시얼 웨이퍼의 특징 - 가아스 웨이퍼를 제조하는데 사용한다. - 디자인 아트워크와 맞춤형을 지원 - 직접 반구 틈, 효율적으로 빛을 방출, 레이저에 사용됩니다. - 0.7μm에서 0.9μm의 파장 범위에서, 양자 우물 구조 - MOCVD 또는 MBE, 에칭, 금속화 및 포장 등의 기술을 사... 더보기
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중국 2

2" S 도핑 된 GaP 반도체 EPI 웨이퍼 N 타입 P 타입 250um 300um 빛 방출 다이오드

가격: Negotiation
MOQ: 25pcs
배달 시간: In 30 days
상표: ZMSH
하이 라이트:S 도핑된 EPI 웨이퍼, 반도체 웨이퍼 300um, GaP 반도체 EPI 웨이퍼
2S 도핑 된 GaP 반도체 EPI 웨이퍼 N 타입 P 타입 250um 300um 빛 방출 다이오드 설명: 갈륨 인산화물 (GaP) 은 그룹 III-V 화합물이다. 외관은 주황색-붉은 투명한 결정이다. 갈륨 인산화물은 값싼 빨간색을 만들기 위해 사용됩니다.초록색 및 주황색 빛 방출 다이오드, 저~중등 밝기높은 전류에서 그 수명은 짧고, 그 수명은 또한 온도에 매우 민감합니다.갈륨 엽수화물 (GaP) 은 2의 간접 에너지 격차를 가진 무기 화합물과 반도체 물질입니다..26eV (300K). 폴리 크리스탈린 물질은 밝은 오렌... 더보기
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중국 투명한 오렌지색 부착되지 않은 GaP 웨이퍼 P 타입 N 타입 200um 350um 5G 빛 방출 판매용

투명한 오렌지색 부착되지 않은 GaP 웨이퍼 P 타입 N 타입 200um 350um 5G 빛 방출

가격: Negotiation
MOQ: 25pcs
배달 시간: In 30 days
상표: ZMSH
하이 라이트:N형 GaP 웨이퍼, 가이프 (GaP) 와이퍼, 투명한 갈륨 포스피드 웨이퍼
투명한 오렌지색 부착되지 않은 GaP 웨이퍼 P 타입 N 타입 200um 350um 5G 빛 방출 설명: 다른 III-V 화합물 물질과 마찬가지로 독특한 전기적 특성을 가진 중요한 반도체 인 갈륨 인산 GaP는 열역학적으로 안정적인 큐브 ZB 구조에서 결정화됩니다.2의 간접 밴드 간격을 가진 오렌지 노란색 반투명 결정 물질.26 eV (300K), 6N 7N 고순도 갈륨과 인산에서 합성되어 액체 캡슐화 Czochralski (LEC) 기술로 단일 결정으로 성장합니다.갈륨 엽수화물 결정은 n형 반도체를 얻기 위해 황 또는 텔루륨을... 더보기
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중국 GaP 반 단열 웨이퍼 P 타입 N 타입 400um 500um 녹색 LED 빨간 녹색 빛 방출 판매용

GaP 반 단열 웨이퍼 P 타입 N 타입 400um 500um 녹색 LED 빨간 녹색 빛 방출

가격: Negotiation
MOQ: 25pcs
배달 시간: In 30 days
상표: ZMSH
하이 라이트:가프 웨이퍼 2", 반열된 GaP 웨이퍼, P형 갈륨 포스피드 웨이퍼
GaP 반 단열 웨이퍼 P 타입 N 타입 400um 500um 녹색 LED 빨간 녹색 빛 방출 설명: 갈륨 포스피드는 일반적으로 사용되는 반도체 물질로, 높은 전도성 및 높은 광 전기 변환 효율의 특성을 가지고 있습니다.갈륨 포스피드는 태양 전지 제조에 사용될 수 있습니다., 광탐지, 광전도 및 LED 장치. 갈륨 인화물 (GaP) 은 녹색 광 발광 다이오드에서 오랫동안 활성 물질로 사용되어 온 중요한 광 물질입니다.GaP는 간접적인 간격입니다 (2.26 eV) 반도체, 높은 굴절 지수 (n> 3) 와 3차 비선형, 450... 더보기
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중국 2 인치 단일 결정 갈륨 비소 기판 반도체 앤형 판매용

2 인치 단일 결정 갈륨 비소 기판 반도체 앤형

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmsh
하이 라이트:2 인치 GaAs 기판, 단일 결정 갈륨 비소 기판, 반도체 앤형 갈륨 비소 웨이퍼
2 인치 GaAs 기판 단일 결정 갈륨 비소 기판 세미-컨덕팅 앤형 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 (GaAs)는 우수한 반도체 재료입니다. 그것은 큰 직접형 대역간극, 전자의 고이동성, 고주파 저소음과 고변환 효율)과 다른 탁월한 장점을 가지고 있습니다. GaAs 기판은 전도성 있고 반보온된 것으로 나... 더보기
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중국 6Inch VGF 성장법 p 형 갈륨 비소 웨이퍼 GaAs 기판 판매용

6Inch VGF 성장법 p 형 갈륨 비소 웨이퍼 GaAs 기판

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
상표: zmsh
하이 라이트:p 형 비화 갈륨 웨이퍼, 6 인치 갈륨 비소 웨이퍼, 반도체 갈륨 비소 웨이퍼
6 인치당 VGF 성장법 p 형 갈륨 비소 웨이퍼 GaAs 기판 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 갈륨 비소 웨이퍼 갈륨 비소 웨이퍼 GaAs 기판 웨이퍼 GaAs 기판 웨이퍼 비소화 갈륨은 고주파, 고전자 이동, 고전자 성능, 낮은 침 소리와 선 장점의 우수 특성과 반도체 물질입니다. 그것은 넓게 광 전자 공학과 마이크로일렉트로닉스... 더보기
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중국 10x10mm 산화갈륨 기판 단사층 구조 판매용

10x10mm 산화갈륨 기판 단사층 구조

가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: 1-4weeks
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하이 라이트:p 형 갈륨 비소 웨이퍼, 앤형 갈륨 비소 웨이퍼, 비화 갈륨 웨이퍼 2 인치
10x10mm 산화갈륨 기판 단사층 구조 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 스테아디-스테이트 갈륨 산화물 결정은 2개의 쪼개짐 플레인 (100)와 (001)와 단사구조를 가집니다. 성장 방법에 관한 한, 성장 방법의 그 (100) 성장이 가공처리한 반면에, 결정상 갈륨 산화물 결정이 더 쉽게 성장할 것이고의 그 (001) 크리스탈이 극단... 더보기
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