SiC 기판
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4H-N 실리콘 탄화수소 SiC 기판 2인치 3인치 4인치 6인치 8인치 프라임 등급
가격: Negotiable
MOQ: Negotiable
배달 시간: 2-4 weeks
상표: ZMSH
하이 라이트:350um SiC 기판, 100mm SiC 기판, 4인치 SiC 기판
4H-N 실리콘 탄화물 SiC 기판 2인치 3인치 4인치 6인치 8인치 프라임 등급
제품 설명
4H-N 실리콘 탄화물 SiC 기판 2인치 3인치 4인치 6인치 8인치 프라임 등급
실리콘카바이드 (SiC, Silicon Carbide) 는 실리콘과 탄소를 결합하여 형성된 화합물이다. 실리콘카바이드 시드 크리스탈은 중요한 형태이며,반도체 재료에 널리 사용됩니다., 세라믹, 가열제 및 다른 분야. 실리콘 탄화물은 고장만 다이아몬드에 두 번째로 두 번째로, 그것은 훌륭한 가열 및 절단 도구로 만듭니다.좋은 열전도성으로 LED 및 전력 ... 더보기
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4H-N 4 인치 실리콘 질화물 SiC 기판은 고출력 장치를 위한 학년 SiC 기판을 더미를 만듭니다
가격: by case
MOQ: 3pcs
배달 시간: 10-30days
상표: ZMSH
하이 라이트:가짜 등급 SiC 기판, 4 인치 SiC 기판, 4H-N 질화 실리콘 기판
4H-N 4H-SEMI 2인치 3인치 4인치 6인치 SiC 기판
H 고순도 실리콘카바이드 기판, 고순도 4인치 SiC 기판, 4인치 실리콘카바이드 기판 반도체, 실리콘카바이드 기판 반도체,보석에 대한 시크 린고트
응용 분야
1 고 주파수 및 고 전력 전자 장치 Schottky 다이오드, JFET, BJT, PiN, 다이오드, IGBT, MOSFET
2 광전자 장치: 주로 GaN/SiC 파란색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에서 사용됩니다.
장점
• 낮은 격자 불일치• 높은 열전도성• 낮은 전력 소비• 우수한... 더보기
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장비를 위한 주문 제작된 크기 실리콘 카바이드 기판 견고성 9.4 Sic 부품
가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: within 15days
상표: zmsh
하이 라이트:실리콘 탄화물 기질, sic 웨이퍼
10x10mm 5x5mm 맞춤형 사각형 시크 기판, 1인치 시크 웨이퍼, 시크 크리스탈 칩, 시크 반도체 기판, 6H-N SIC 웨이퍼, 고순도 실리콘 카바이드 웨이퍼- - - - - - - - -우리는 반도체 소재를 제공하고 있습니다. 특히 SiC 웨이퍼, SiC 서브 스테이트의 폴리 타입 4H와 6H를 위해 연구자와 산업 제조업체에 다양한 품질 등급으로 제공합니다.우리는 SiC 크리스탈 성장 공장과 좋은 관계를 가지고 있습니다,우리는 또한 SiC 웨이퍼 처리 기술을 가지고, 제조 SiC 기판과 SiC 웨이퍼 생산 라인을 구축.첨... 더보기
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높은 순수성 도핑되지 않은 실리콘 카바이드 sic 웨이퍼, 6Inch 4H-Semi Sic 실리콘 카바이드 기질
가격: by case
MOQ: 1pcs
배달 시간: 15days within
상표: zmsh
하이 라이트:실리콘 탄화물 기질, sic 웨이퍼
6 인치는 기판을 토합니다, 4h-n,4H-SEMI,sic 금은괴 SiC 크리스털이 SiC 크리스털 블록 SiC 반도체 기판, 고순도 탄화 규소를 금괴로 만듭니다
SIC 웨이퍼
SiC 크리스털은 있고 절단의 조각 안으로,와 광택이 나으면서, SIC 웨이퍼가 옵니다. 상술과 세부를 위해 미안하지만, 아래의 페이지를 방문하세요.
SiC 크리스털 성장
더 나은 장치처리의 기반을 만들면서, 벌크 결정 성장은 단일의 결정질 기재의 제작을 위한 기술입니다.분명히 SiC 기술에서 돌파구를 가지고 있기 위해... 더보기
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견고성 9.2와 언도핑된 투명한 탄화규소 SiC 크리스털 광학렌즈
가격: by case
MOQ: 10PCS
배달 시간: 30days within
상표: zmsh
하이 라이트:원문대로 광학 렌즈 웨이퍼를 언도핑시켰습니다, 4H-N 광학렌즈 웨이퍼, 반도체 광학렌즈 웨이퍼
6 인치 생산은 탄화실리콘 성장률을 위한 SiC 크리스털 실리콘 카바이드 시드 웨이퍼 0.6 밀리미터 두께를 준비합니다
언도핑된 고순도 또는 특정량 조명 공급원을 위한 투명 무색 원문대로 광학 렌즈 웨이퍼
우리는 고급 품질 단일 결정 SIC 웨이퍼 (탄화규소)을 전자적이고 광전자 산업에게 제공할 수 있습니다 . SIC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 갈륨 비소 웨이퍼와 비교하여, 유일한 전기적 성질과 우수한 열 속성으로, 차세대 반도체 물질입니다, SIC 웨이퍼가 더 고온과 고전력 장치 애플리케이션에 적합합니다 . S... 더보기
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무색인 투명한 탄화규소 SiC 폴리시드 웨이퍼 렌즈
가격: by case
MOQ: 1pcs
배달 시간: 15days within
상표: zmsh
하이 라이트:탄화규소 SiC 폴리시드 웨이퍼, 무색인 SiC 폴리시드 웨이퍼, 4H-N SiC는 웨이퍼를 닦았습니다
높은 투과율 광학 적용을 위한 Hardness9.4 무색인 투명한 고순도 4H 세미 탄화규소 SiC 폴리시드 웨이퍼
SIC 웨이퍼 특징
특성
4H-SiC, 단일 결정
6H-SiC, 단일 결정
격자 파라미터
a=3.076 c=10.053 A
a=3.073 c=15.117 A
퇴적 순서
ABCB
ABCACB
모스 경도
9.2
9.2
비중
3.21 g/cm3
3.21 g/cm3
섬. 전개 계수
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
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반도체 소자를 위한 2inch 3inch Dia100m 4H-N 유형 실리콘 탄화물 웨이퍼 생산 급료
가격: by required
MOQ: 1pcs
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:실리콘 탄화물 기질, sic 기질
4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,
적용 분야
1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드,
접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀, 다이오드, IGBT, MOSFET
2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
아드밴티지먼트
오우 낮은 격자 부정합오우 고열 전도성오우 저 전력 소모오우 우수한 과도 특성오우 하이 밴드 갭
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2 인치 6H - 발견자를 위한 반 실리콘 탄화물 웨이퍼 저출력 소비
가격: 200usd/pcs by FOB
MOQ: 2pcs
배달 시간: within 15days
상표: zmsh
하이 라이트:sic 웨이퍼, sic 기질
2인치 6H-세미시크 웨이퍼, 맞춤형 시크 기판, 2인치 6H-N시크 웨이퍼, 시크 크리스탈 잉크, 실리콘 탄화물 웨이퍼
이 2인치 6H 반열성 실리콘 카비드 (SiC) 웨이퍼는 낮은 전력 소모를 요구하는 애플리케이션, 특히 탐지기에 설계되었습니다.실리콘 카바이드 는 높은 온도 에서 탁월 한 안정성 으로 유명 합니다, 높은 분해 전압, 우수한 열 전도성, 고성능 전자 장치 및 센서에 대한 이상적인 재료로.웨이퍼의 우수한 전기 단열 특성 및 낮은 전력 소비는 탐지기의 효율성과 수명을 크게 향상시킵니다.저전력, 고성능 탐지 기술을 ... 더보기
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높이 열과의 주문을 받아서 만들어진 크기 사각 Sic 칩 낮은 격자 미스매치
가격: by case
MOQ: 10pcs
배달 시간: within 15days
상표: zmsh
하이 라이트:sic 웨이퍼, sic 기질
10x10mm 5x5mm는 정연한 sic 기질, 1inch sic 웨이퍼, sic 수정같은 칩, sic 반도체 기질, 6H-N SIC 웨이퍼, 높은 순수성 실리콘 탄화물 웨이퍼를 주문을 받아서 만들었습니다----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------우리는 polytype 4H의 SiC 웨이퍼, SiC 준국가 및 연구원과 기업 제조자를 위한 다른 질 급료에 있... 더보기
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파워 전자 장치를 위한 4H-N 절단된 그대로 탄화 규소 웨이퍼 0.5 밀리미터 두께
가격: by case
MOQ: 1pcs
배달 시간: 15days within
상표: zmsh
하이 라이트:실리콘 탄화물 기질, sic 기질
6inch sic 기질, sic 주괴 sic 수정같은 주괴 sic 수정같은 구획 sic 반도체 기질 2inch 3inch 4inch 6inch 4h 진한 액체로 처리된 웨이퍼 없음
우리는 전자와 광전자 공학 기업에 제공합니다 고품질 단결정 SiC 웨이퍼 (실리콘 탄화물)를 할 수 있습니다. SiC 웨이퍼는 유일한 전기 재산과 더불어 차세대 반도체 물자, 이고 실리콘 박편과 GaAs 웨이퍼와 비교된 우수한 열 재산은, SiC 웨이퍼 고열과 고성능 장치 신청을 위해 더 적당합니다. SiC 웨이퍼는 직경 2 -6inch에서... 더보기
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거짓 주요한 급료 6inch 실리콘 탄화물 sic 웨이퍼 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi 간격 기질
가격: by case
MOQ: 1pcs
배달 시간: 15days within
상표: zmsh
하이 라이트:실리콘 탄화물 기질, sic 웨이퍼
실리콘 탄화물 sic에 의하여 끊기는 구획, 주옥 급료 sic 주괴,5-15mm 간격 sic 작은 조각
SiC 웨이퍼 특징
재산
4H SiC의 단결정
6H SiC의 단결정
격자 모수
a=3.076 Å c=10.053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
순서를 겹쳐 쌓이기
ABCB
ABCACB
Mohs 경도
≈9.2
≈9.2
조밀도
3.21 g/cm3
3.21 g/cm3
Therm. 확장 계수
4-5... 더보기
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SiC 크리스털 탄화 규소 웨이퍼
가격: by case
MOQ: 3PCS
배달 시간: 30days within
상표: zmsh
하이 라이트:SiC 크리스털 탄화 규소 웨이퍼, 6 " 탄화 규소 웨이퍼, 0.6 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼
6 인치 생산은 탄화실리콘 성장률을 위한 SiC 크리스털 실리콘 카바이드 시드 웨이퍼 0.6 밀리미터 두께를 준비합니다
6는 SiC 기판으로 조금씩 움직입니다, sic 인곳 SiC 크리스털 잉곳 SiC 크리스털 블록 SiC 반도체 기판 2가 3 인치 4 인치 6 인치 4h 아니오 도핑된 웨이퍼로 조금씩 움직입니다
우리는 고급 품질 단일 결정 SIC 웨이퍼 (탄화규소)을 전자적이고 광전자 산업에게 제공할 수 있습니다 . SIC 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 갈륨 비소 웨이퍼와 비교하여, 유일한 전기적 성질과 우수한 열... 더보기
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프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼
가격: by required
MOQ: 3PCS
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:원문대로 격리하는 0.5 밀리미터 세미, 원문대로 격리하는 6 각형 엑스새미, SIC 탄화 규소 웨이퍼
프라임 2" 3" 4" 6" 4h-Semi 4H-N Insulating Sic 기판 Silicon Carbide sic 웨이퍼
탄화규소 SiC 크리스탈 기판 웨이퍼 카보런덤
실리콘 카바이드 재료 속성
상품명:
탄화규소(SiC) 결정 기판
제품 설명:
2-6인치
기술적인 매개변수:
세포 구조
육각형
격자 상수
a = 3.08Å c = 15.08Å
우선순위
ABCABC (6H)
성장 방법
MOCVD
방향
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반도체 아니오 도핑된 SiC 기판 고열 전도성
가격: by required
MOQ: 1pcs
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:어떤 도핑된 실리콘 카바이드 기판, 어떤 도핑된 SiC 기판, 반도체 SiC 기판
4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,
4h 세미 4h-N 주문 제작된 스퀘어 형상은 원문대로 웨이퍼로 만듭니다
적용 분야
1 고주파와 고전력 전자 장치 쇼트키 다이오드,
접합형 전기 분해 효과 트랜지스터, BJT, 핀, 다이오드, IGBT, MOSFET
2개의 광 전자 장치 : 주로 GaN/SiC 청색 LED 기판 물질 (GaN/SiC) LED에 사용했습니다
아드밴티지먼트
오우 낮은 격자 부정합오우... 더보기
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4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드
가격: by case by FOB
MOQ: 1pcs
배달 시간: within 40days
상표: zmsh
하이 라이트:세미콘d터 탄화규소 substrate, 6 인치 SiC 기판, 가짜 등급 SIC 웨이퍼
4인치 6인치 4H-N 500mm 350um SIC 웨이퍼 실리콘 카바이드 sic 기판 프라임 더미 그레이드
분말 장치용 6inch 4H-N 500mm 350um sic 기판 웨이퍼
직경 6인치, 탄화규소(SiC) 기판 사양
등급
제로 MPD 등급
생산 등급
연구 등급
더미 등급
지름
150.0mm±0.2mm
두께Δ
350μm±25μm 또는 500±25un
웨이퍼 방향
Off axis : < 1120> 방향으로 4.0° ±0.5° for 4H-N On ... 더보기
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4H-N 5x5mm은 원문대로 DSP 세라믹 촉매제 기판을 웨이퍼로 만듭니다
가격: 30USD/pcs
MOQ: 10PCS
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:5 밀리미터 SIC 웨이퍼, DSP는 원문대로 웨이퍼로 만듭니다, DSP 세라믹 촉매제 기판
고순도 HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sic 웨이퍼 DSP
전력 장치 산업에서 실리콘 카바이드의 응용
성능 단위 실리콘 시 실리콘 탄화물 시C 갈리움 질산 GaN밴드 간격 eV 1.12 3.26 3.41전기장 분해 MV/cm 0.23 2.2 3.3전자 이동성 cm^2/Vs 1400 950 1500유동속도 10^7cm/s 1.2.725열전도 W/cmK 1.5 3.8 1.3
4H-N 5x5mm SiC (실리콘 카비드) 웨이퍼는 두면으로 닦은 (DSP) 표면으로 고급 특성을 가지고 있으며 특히 고... 더보기
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HPSI 4H-세미 투명 무색 주문 제작된 SIC 렌즈
가격: 600USD/pcs
MOQ: 5PCS
배달 시간: 10-20days
상표: ZMSH
하이 라이트:HPSI SIC 렌즈, 4H 세미 SIC 렌즈, HPSI 탄화규소 결정 렌즈
HPSI 4H 세미 투명 무색 주문 제작된 탄화실리콘 렌즈 고순도
전력 소자 산업에서 탄화규소의 적용
수행 유닛 실리콘 탄화규소 SiC 갈륨 나이트라이드 GaN밴드 갭 eV 1.12 3.26 3.41 1.12 3.26 3.41파괴전계 MV / 센티미터 0.23 2.2 3.3전자 이동도 cm^2/Vs 1400 950 1500이동속도 10^7 센티미터 / S 1 2.7 2.5시이엠케이와 열전도... 더보기
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투명한 SiC 크리스털 광학렌즈 4H-세미 커스텀지드 사이즈
가격: 400USD/pcs
MOQ: 3PCS
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:4H 세미 SIC 광학렌즈, 4H 세미 SiC 크리스털 렌즈, 커스텀지드 사이즈 SiC 크리스털 렌즈
고순도 HPSI 4H 세미 4H-N 10X10mm 5x5mm은 원문대로 커스텀지드 크기에 의해 DSP 투명한 SiC 크리스털 광학렌즈 4H 세미를 웨이퍼로 만듭니다
전력 소자 산업에서 탄화규소의 적용
수행 유닛 실리콘 탄화규소 SiC 갈륨 나이트라이드 GaN밴드 갭 eV 1.12 3.26 3.41 1.12 3.26 3.41파괴전계 MV / 센티미터 0.23 2.2 3.3전자 이동도 cm^2/Vs 1400 950 1500이동속... 더보기
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주문 제작된 두께 1.5 밀리미터 4 " 4H-N SiC 크리스털 절단된 그대로 공백 웨이퍼
가격: by required
MOQ: 10pcs
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:탄화규소 결정 sic은 웨이퍼로 만듭니다, 4H-N 탄화 규소 웨이퍼, 4 " 탄화 규소 웨이퍼
4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,
주문 제작된 두께 4 인치 4H-N 탄화규소 결정 sic은 4 인치 종 결정 등급 동안 웨이퍼로 만듭니다 ;
탄화규소 실리콘 탄소 결정 기판 웨이퍼 탄화규소
탄화규소 물질 특성
상품 이름 :
탄화규소 (SiC) 결정 기판
제품 설명 :
2-6inch
기술적인 매개 변수 :
셀 구조
6 각형입니다
격자 상수
= 3.08 A c = 15.0... 더보기
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3 인치 4 인치 2 인치 0.35 밀리미터 DSP는 4h-N 탄화규소 SIC 웨이퍼를 포장합니다
가격: by required
MOQ: 10pcs
배달 시간: 10-20days
상표: zmkj
하이 라이트:4h-N 탄화규소는 원문대로 웨이퍼로 만듭니다, DSP 표면 탄화 규소 웨이퍼, 0.35 밀리미터 탄화 규소 웨이퍼
4 인치 dia100m 4H-N 타입 생산 등급 가상 등급 SiC 기판, 반도체 디바이스를 위한 실리콘 카바이드 기판,
주문 제작된 두께 4 인치 4H-N 탄화규소 결정 sic은 4 인치 종 결정 등급 동안 웨이퍼로 만듭니다 ;
3 인치 4 인치 4h 엔 4h 세미 가짜 테스트 성적 탄화규소는 원문대로 웨이퍼로 만듭니다
탄화규소 실리콘 탄소 결정 기판 웨이퍼 탄화규소
탄화규소 물질 특성
상품 이름 :
탄화규소 (SiC) 결정 기판
제품 설명 :
2-6inch
기술적인 매개 변수 :
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