RF 트랜지스터
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FDV303N 디지털 FET N-채널 반 RF 트랜지스터
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MOQ: 1
배달 시간: 1day
상표: Onsemi
하이 라이트:FDV303N, Digital FET N-Channel Onsemi, Digital RF Transistors
FDV303N Digital FET N-Channel Onsemi RF Transistors Manufacturer: onsemi Product Category: MOSFETs RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V Id - Continuous Dra... 더보기
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2SC5200-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L)
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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Toshiba
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... 더보기
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JAN2N2222A 양극 트랜지스터 - BJT 50 V 소 신호 BJT RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
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상표: Microchip / Microsemi
하이 라이트:JAN2N2222A, Microsemi Bipolar Transistors, BJT RF Transistors
JAN2N2222A Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT Manufacturer: Microchip Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: N Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-18-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Maximum DC Collector Current: 800 mA Collector- Em... 더보기
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BS816A-1 P 채널 강화 모드 DMOS 트랜지스터 고전력 RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Diodes Incorporated
BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR RF Transistors Manufacturer: DIODES Product Category: P-CHANNEL ENHANCEMENT RoHS: Details Mounting Style: - Package / Case: 16NSOP Packaging: Standard Unit Weight: - oz This transistor is suitable for RF power amplifiers in various applications suc... 더보기
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BLF177 MRF150 RF MOSFET 트랜지스터 5~150MHz 150Watt 50볼트 17dB
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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1-2days
상표: MACOM
하이 라이트:BLF177 MRF150, RF MOSFET Transistors 5-150MHz, MOSFET Transistors 150Watts
Manufacturer: MACOM Product Category: RF MOSFET Transistors RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 16 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V Rds On - Drain-Source Resistance: - Operating Frequency: 150 MHz Gain: 17 dB Output Power: 150 W Min... 더보기
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PC817X3NSZW PHOTOCOUPLER Optoisolator 출력 채널 4-DIP 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
배달 시간: Negotiable
PC817X3NSZW 오프토이졸레이터 출력 채널 4-DIP 트랜지스터
제조사:
샤프 마이크로 전자
제품 카테고리
트랜지스터 출력 광 결합기
패키지:
4-DIP
포장:
튜브
패키지 / 케이스:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
브랜드:
샤프 마이크로 전자
제품 종류:
트랜지스터 출력 광 결합기
하위 분류:
오프토커플러
제품 디아플레이
회사 정보
Shenzhen Wisdtech Technology Co., Ltd는 전 세계에서 유명한 반도체 통합 회로 (ICS) 를 전... 더보기
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MJ13333 스위치모드 시리즈 20AMPERE NPN 실리콘 전력 트랜지스터 400- 500 볼트 175 와트
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MOQ: 1pcs
배달 시간: Negotiable
MJ13333 스위치모드 시리즈 20AMPERE NPN 실리콘 전력 트랜지스터 400- 500 볼트 175 와트
분류
트랜지스터
Mfr
모토롤라
시리즈
-
부분 상태
-
장착형
-
MJ13333 트랜지스터는 추락 시간이 중요한 인덕티브 회로에서 고전압, 고속, 전력 전환을 위해 설계되었습니다.그것은 특히 다음과 같은 라인 작동 스위치 모드 애플리케이션에 적합합니다.:• 스위치 조절기• 인버터• 솔레노이드 및 릴레이 드라이버• 모터 컨트롤• 굽는 회로
빠른 끄기 시간200 ns 인... 더보기
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QPD1016 RF 모스페트 55V 1A 1.7GHz 23.9dB 500W NI-780 RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
배달 시간: Negotiable
QPD1016 RF JFET 트랜지스터 DC-1.7 GHz 500W 50V GaN RF Tr
제조사:
코르보
제품 카테고리
RF JFET 트랜지스터
RoHS:
세부 사항
트랜지스터 타입:
HEMT
기술:
GaN SiC
작동 주파수:
DC에서 1.7GHz
이득:
23.9 dB
트랜지스터 극성:
N 채널
Vds - 배수원 분사 전압:
145V
Vgs - 게이트 소스 파업 전압:
- 7V에서 1.5V
id - 연속 배수 전류:
70A
출력 전력:
680W
최대 배수문 전압:
55V
최소 작동 온도:
- 40C
최대 작동 ... 더보기
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ZTX951STZ 양극 트랜지스터 IC BJT PNP 빅 칩 SELine
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MOQ: 1pcs
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상표: Diodes Incorporated
하이 라이트:ZTX951STZ, ZTX951STZ Bipolar Transistor IC
ZTX951STZ Bipolar Transistors BJT PNP Big Chip SELine Product Attribute Attribute Value Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter V... 더보기
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J201 JFET N 채널 트랜지스터 일반용 고전력 RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: InterFET
J201 JFET N-Channel Transistor General Purpose high power rf transistors Manufacturer: Fairchild Product Category: JFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92 Transistor Polarity: N-Channel Configuration: Single Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V Gat... 더보기
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ZXTN25100BFHTA 양극적 (BJT) 트랜지스터 NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
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상표: Diodes Incorporated
ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W Surface Mount Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCE... 더보기
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2SA1943-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L)
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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Toshiba
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... 더보기
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IRF1407PBF N 채널 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) 구멍을 통해 TO-220AB RF 트랜지스터
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MOQ: 1pcs
배달 시간: Negotiable
IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFETs RoHS: - REACH - SVHC: - Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-So... 더보기
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VOS617A-4T 오프토이졸레이터 트랜지스터 출력 3750Vrms 1 채널 고전력 RF 트랜지스터
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상표: Vishay
VOS617A-4T Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP Manufacturer: Vishay Product Category: Transistor Output Optocouplers RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SSOP-4 Number of Channels: 1 Channel Isolation Voltage: 3750 Vrms Output Type: NPN Phototransistor Current T... 더보기
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