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RF 트랜지스터

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중국 FDV303N 디지털 FET N-채널 반 RF 트랜지스터 판매용

FDV303N 디지털 FET N-채널 반 RF 트랜지스터

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MOQ: 1
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상표: Onsemi
하이 라이트:FDV303N, Digital FET N-Channel Onsemi, Digital RF Transistors
FDV303N Digital FET N-Channel Onsemi 더보기
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중국 JAN2N2222A 마이크로칩 마이크로 반극 트랜지스터 BJT BJT RF 트랜지스터 판매용

JAN2N2222A 마이크로칩 마이크로 반극 트랜지스터 BJT BJT RF 트랜지스터

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Microchip / Microsemi
하이 라이트:JAN2N2222A, Microsemi Bipolar Transistors, BJT RF Transistors
JAN2N2222A Microchip / Microsemi Bipolar Transistors - BJT BJTs Collector- Base Voltage VCBO: 75 V Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V Maximum DC Collector Current: 800 mA Pd - Power Dissipation: 500 mW Gain Bandwidth Product fT: - Minimum Operating Temperature:... 더보기
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중국 2SC5200-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L) 판매용

2SC5200-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L)

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Toshiba
2SC5200-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... 더보기
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중국 BLF177 MRF150 RF MOSFET 트랜지스터 5~150MHz 150Watt 50볼트 17dB 판매용

BLF177 MRF150 RF MOSFET 트랜지스터 5~150MHz 150Watt 50볼트 17dB

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1-2days
상표: MACOM
하이 라이트:BLF177 MRF150, RF MOSFET Transistors 5-150MHz, MOSFET Transistors 150Watts
Manufacturer: MACOM Product Category: RF MOSFET Transistors RoHS: Details Transistor Polarity: N-Channel Technology: Si Id - Continuous Drain Current: 16 A Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V Rds On - Drain-Source Resistance: - Operating Frequency: 150 MHz Gain: 17 dB Output Power: 150 W Min... 더보기
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중국 IRF1407PBF   N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors 판매용

IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors

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MOQ: 1pcs
배달 시간: Negotiable
IRF1407PBF N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB RF Transistors Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFETs RoHS: - REACH - SVHC: - Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-So... 더보기
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중국 BS816A-1 P 채널 강화 모드 DMOS 트랜지스터 고전력 RF 트랜지스터 판매용

BS816A-1 P 채널 강화 모드 DMOS 트랜지스터 고전력 RF 트랜지스터

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Diodes Incorporated
BS816A-1 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR RF Transistors Manufacturer: DIODES Product Category: P-CHANNEL ENHANCEMENT RoHS: Details Mounting Style: - Package / Case: 16NSOP Packaging: Standard Unit Weight: - oz This transistor is suitable for RF power amplifiers in various applications suc... 더보기
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중국 ZTX951STZ 양극 트랜지스터 IC BJT PNP 빅 칩 SELine 판매용

ZTX951STZ 양극 트랜지스터 IC BJT PNP 빅 칩 SELine

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: Diodes Incorporated
하이 라이트:ZTX951STZ, ZTX951STZ Bipolar Transistor IC
ZTX951STZ Bipolar Transistors BJT PNP Big Chip SELine Product Attribute Attribute Value Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter V... 더보기
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중국 J201 JFET N 채널 트랜지스터 일반용 고전력 RF 트랜지스터 판매용

J201 JFET N 채널 트랜지스터 일반용 고전력 RF 트랜지스터

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MOQ: 1pcs
배달 시간: 1day
상표: InterFET
J201 JFET N-Channel Transistor General Purpose high power rf transistors Manufacturer: Fairchild Product Category: JFET RoHS: Details Technology: Si Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-92 Transistor Polarity: N-Channel Configuration: Single Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V Gat... 더보기
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중국 2SA1943-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L) 판매용

2SA1943-O ((Q) 양극 (BJT) 트랜지스터 PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W 구멍을 통해 TO-3P ((L)

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상표: Toshiba
2SA1943-O(Q) Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole Manufacturer: Toshiba Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Transistor Polarity: PNP Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 230 V... 더보기
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중국 ZXTN25100BFHTA 양극적 (BJT) 트랜지스터 NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RF 트랜지스터 판매용

ZXTN25100BFHTA 양극적 (BJT) 트랜지스터 NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W RF 트랜지스터

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상표: Diodes Incorporated
ZXTN25100BFHTA Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 160MHz 1.25 W Surface Mount Manufacturer: Diodes Incorporated Product Category: Bipolar Transistors - BJT RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3 Transistor Polarity: NPN Configuration: Single Collector- Emitter Voltage VCE... 더보기
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중국 VOS617A-4T 오프토이졸레이터 트랜지스터 출력 3750Vrms 1 채널 고전력 RF 트랜지스터 판매용

VOS617A-4T 오프토이졸레이터 트랜지스터 출력 3750Vrms 1 채널 고전력 RF 트랜지스터

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상표: Vishay
VOS617A-4T Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SSOP Manufacturer: Vishay Product Category: Transistor Output Optocouplers RoHS: Details Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SSOP-4 Number of Channels: 1 Channel Isolation Voltage: 3750 Vrms Output Type: NPN Phototransistor Current T... 더보기
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